复旦大学刘子玉获国家专利权
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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利混合键合结构及键合方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119905413B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510093829.9，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权混合键合结构及键合方法是由刘子玉;李锦竹;楼其村;张卫;孙清清;陈琳设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本混合键合结构及键合方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种混合键合结构及键合方法，所述混合键合方法包括：提供待键合的第一半导体结构及第二半导体结构，形成第一半导体结构和或第二半导体结构的方法包括：提供待键合的半导体基底，在半导体基底上形成多个凸起的金属连接件，形成聚合物介质层覆盖半导体基底表面且暴露金属连接件，对聚合物介质层执行第一固化，第一固化的固化温度小于聚合物介质层的玻璃化转变温度，且第一固化后的聚合物介质层的顶面高于或等于金属连接件的顶面；执行热压键合使第一半导体结构及第二半导体结构连接，热压键合的工艺温度大于聚合物介质层的玻璃化转变温度使聚合物介质层进行第二固化。本发明可优化混合键合工艺。
本发明授权混合键合结构及键合方法在权利要求书中公布了：1.一种混合键合方法，其特征在于，包括： 提供待键合的第一半导体结构及第二半导体结构，所述第一半导体结构及所述第二半导体结构表面均设有聚合物介质层及镶嵌于所述聚合物介质层中的金属连接件，形成所述第一半导体结构和或第二半导体结构的方法包括：提供待键合的半导体基底，在所述半导体基底上形成多个凸起的金属连接件，形成聚合物介质层覆盖所述半导体基底表面且暴露所述金属连接件，对所述聚合物介质层执行第一固化，所述第一固化的固化温度小于所述聚合物介质层的玻璃化转变温度，且所述第一固化后的聚合物介质层的顶面高于或等于所述金属连接件的顶面； 执行热压键合使所述第一半导体结构及所述第二半导体结构表面各自的聚合物介质层及金属连接件分别连接，所述热压键合的工艺温度大于所述聚合物介质层的玻璃化转变温度使所述聚合物介质层进行第二固化。
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