西安石油大学郝敏如获国家专利权
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龙图腾网获悉西安石油大学申请的专利一种基于应变硅技术的铁电场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119907268B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510047982.8，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种基于应变硅技术的铁电场效应晶体管及其制备方法是由郝敏如;陈丹婷;邵敏;张艳;周旬设计研发完成，并于2025-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于应变硅技术的铁电场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于应变硅技术的铁电场效应晶体管及其制备方法，该铁电场效应晶体管包括：第一掺杂类型的Si衬底；第二掺杂类型的漏区和源区，位于Si衬底的两端内，且其上表面均与Si衬底的上表面齐平；SiO2绝缘层，位于Si衬底上，且与漏区和源区接触；HZO铁电介质层，位于SiO2绝缘层上；栅电极，位于HZO铁电介质层上；源电极和漏电极，分别位于部分漏区和部分源区上；SiN层，位于剩余部分的漏区、剩余部分的源区、栅电极、源电极和漏电极上，以及SiO2绝缘层、HZO铁电介质层、栅电极、源电极和漏电极的侧壁上。本发明可以进一步提高FeFET铁电特性以及存储能力。
本发明授权一种基于应变硅技术的铁电场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于应变硅技术的铁电场效应晶体管，其特征在于，所述铁电场效应晶体管包括： 第一掺杂类型的Si衬底； 第二掺杂类型的漏区和源区，位于所述Si衬底的两端内，且其上表面均与所述Si衬底的上表面齐平； SiO2绝缘层，位于所述Si衬底上，且与所述漏区和所述源区接触； HZO铁电介质层，位于所述SiO2绝缘层上； 栅电极，位于所述HZO铁电介质层上； 源电极和漏电极，分别位于部分所述漏区和部分所述源区上； SiN层，位于剩余部分的所述漏区、剩余部分的所述源区、所述栅电极、所述源电极和所述漏电极上，以及所述SiO2绝缘层、所述HZO铁电介质层、所述栅电极、所述源电极和所述漏电极的侧壁上；其中，所述SiN层具有本征张应力，在化学键的作用下会发生水平方向上的压缩，通过所述SiN层与所述源区和所述漏区的接触，在晶格适配原理的作用下，该压缩产生的压缩力将会带动所述源区和所述漏区发生收缩，使得沟道与所述铁电介质层被拉伸产生张应力。
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