买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利反熔丝OTP存储器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947094B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510008157.7，技术领域涉及：H10B20/25；该发明授权反熔丝OTP存储器及其制造方法是由黄础熠;刘雯;胡晓明设计研发完成，并于2025-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本反熔丝OTP存储器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种反熔丝OTP存储器，包括：控制管的第一栅极结构和反熔丝管的第二栅极结构，两栅极结构之间具有第一间距；第一间距小于版图设计规则的最小间距以及第一间距大于等于栅极工艺可制造的最小间距。在各栅极结构的各侧面形成有第一和第二侧墙。在各栅极结构的侧面处的阱区的表面区域形成有第一至第三轻掺杂漏区；在两栅极结构之间未形成源漏注入区；第一和第二源漏区分别自对准形成于两栅极结构外侧的第二侧墙处的阱区的表面区域。第二轻掺杂漏区作为控制管和反熔丝管的串联节点。本发明还公开了一种反熔丝OTP存储器的制造方法。本发明能缩小单元尺寸、提高存储密度，能降低制造成本，能降低漏电流并从而提高编程成功率和降低读取功耗。

本发明授权反熔丝OTP存储器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种反熔丝OTP存储器，其特征在于，包括：形成于有源区中的反熔丝存储单元； 所述反熔丝存储单元包括：形成于半导体衬底中的第二导电类型的阱区，形成于所述阱区表面的第一栅极结构和第二栅极结构； 所述第一栅极结构的第二侧面和所述第二栅极结构的第一侧面之间具有第一间距；所述第一间距小于版图设计规则的最小间距以及所述第一间距大于等于栅极工艺可制造的最小间距； 在所述第一栅极结构的第一侧面和第二侧面以及所述第二栅极结构的第一侧面和第二侧面上依次自对准形成有第一侧墙和第二侧墙； 第一导电类型的第一轻掺杂漏区自对准形成在所述第一栅极结构的第一侧面的所述第一侧墙处的所述阱区的表面区域； 第一导电类型重掺杂的第一源漏区自对准形成在所述第一栅极结构的第一侧面的所述第二侧墙处的所述阱区的表面区域； 所述第一侧墙的厚度的2倍小于所述第一间距，所述第一栅极结构的第二侧面处的所述第一侧墙和所述第二栅极结构的第一侧面处的所述第一侧墙之间具有第一间隔区，第二轻掺杂漏区自对准形成所述第一间隔区底部的所述阱区的表面区域中； 所述第二侧墙将所述第一间隔区完全填充并形成源漏注入阻挡结构，在所述第一间隔区底部的所述阱区的表面区域中无第一导电类型重掺杂的源漏注入区； 第一导电类型的第三轻掺杂漏区自对准形成在所述第二栅极结构的第二侧面的所述第一侧墙处的所述阱区的表面区域； 第一导电类型重掺杂的第二源漏区自对准形成在所述第二栅极结构的第二侧面的所述第二侧墙处的所述阱区的表面区域； 所述第一栅极结构作为控制管的栅极结构，所述第二栅极结构作为反熔丝管的栅极结构，所述第二轻掺杂漏区作为所述控制管和所述反熔丝管的串联节点。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华力集成电路制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。