珠海基石科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海基石科技有限公司申请的专利保护层组合物及其应用、电子器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119955386B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510125207.X，技术领域涉及：C09D167/03；该发明授权保护层组合物及其应用、电子器件及其制造方法是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本保护层组合物及其应用、电子器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种保护层组合物及其应用、电子器件及其制造方法。该保护层组合物包括树脂和有机溶剂，树脂包括具有结构的聚芳酯和第二聚合物，聚芳酯、第二聚合物在树脂中的质量占比分别为80％‑99％、1％‑20％；第二聚合物包括具有重复单元的聚碳酸酯和或具有重复单元的聚合物。上述保护层组合物能降低金属基图案化材料或其配套层材料在形成图案化薄膜的过程中对基底非图案区域造成的金属污染问题，且后续可较易被去除，提高电子器件的制备良率和性能可靠性。
本发明授权保护层组合物及其应用、电子器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种保护层组合物，用于降低基底边缘金属污染，其特征在于，所述保护层组合物包括树脂和有机溶剂，所述树脂包括质量占比为80％-99％的聚芳酯和质量占比为1％-20％的第二聚合物，所述聚芳酯具有式Ⅰ所示的结构，所述第二聚合物包括具有式Ⅱ所示重复单元的聚碳酸酯、具有式Ⅲ所示重复单元的聚合物中的一种或多种； 其中，m、p均大于0，Ar1选自包括相连接的至少两个芳环的二价基团，Ar2为含有至少一个芳环的二价基团；X选自-S＝O-、-S＝O2-、-C＝O-中的一种，L选自单键、-O-、-S-、-S＝O-、-S＝O2-、-C＝O-、取代或未取代的C1-5亚烷基中的一种； R、R1、R2、R3、R4每次出现独立地选自卤素原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基中的一种，n、a、b、c、d独立地为0-4的整数，e为0或1。
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