锐石创芯(深圳)半导体有限公司黄浦桓获国家专利权
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龙图腾网获悉锐石创芯(深圳)半导体有限公司申请的专利射频开关、射频前端模组及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119995574B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510001101.9，技术领域涉及：H03K17/16；该发明授权射频开关、射频前端模组及电子设备是由黄浦桓;王欢;倪建兴设计研发完成，并于2025-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本射频开关、射频前端模组及电子设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种射频开关、射频前端模组及电子设备，该射频开关包括依次串联的N个晶体管以及至少一个谐波抑制模块，N为大于1的整数。谐波抑制模块连接在其中两个晶体管对应的两个连接极之间，谐波抑制模块用于抑制经过射频开关的射频信号中的谐波信号。其中，晶体管为场效应管，其中两个晶体管对应的两个连接极为两个体极或两个栅极。本申请中的谐波抑制模块没有直接连接到主射频通路上也即，没有直接连接在场效应管的源极或漏极上，而是连接在两个体极或两个栅极之间，上述连接方式可以避免谐波抑制模块自身产生的其他谐波信号影响主射频通路的情况发生，以确保射频信号能够在主射频通路上正常传输。
本发明授权射频开关、射频前端模组及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种射频开关，其特征在于，包括： 依次串联的N个晶体管，所述N为大于1的整数；以及 至少一个谐波抑制模块，所述谐波抑制模块连接在其中两个晶体管对应的两个连接极之间，所述谐波抑制模块用于抑制经过所述射频开关的射频信号中的谐波信号；其中，所述其中两个晶体管对应的两个连接极包括第一连接极和第二连接极；所述晶体管为场效应管，所述其中两个晶体管对应的两个连接极为两个体极或两个栅极； 所述谐波抑制模块包括第一变容单元和第二变容单元，所述第一变容单元和所述第二变容单元串联在所述第一连接极和所述第二连接极之间；其中，所述第一变容单元用于连接所述第一连接极的一端与所述第二变容单元用于连接所述第二连接极的一端的极性相同。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人锐石创芯(深圳)半导体有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园3栋2101；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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