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龙图腾网获悉绍兴芯链半导体科技有限公司申请的专利一种半导体溅镀系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120060794B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510270283.X，技术领域涉及：C23C14/34；该发明授权一种半导体溅镀系统是由黄文杰设计研发完成，并于2025-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体溅镀系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体溅镀方法及系统，在原设计的上料下料平台中间增设可上下升降结构快门以及另一组溅镀载体，实现两组相互穿梭。这一设计允许设备同时进行上料、下料以及溅镀操作。当第一组固定座在溅镀腔体中进行溅镀时，第二组固定座能在该时间内完成新待镀物的装载。相较于传统单固定座设计，无需等待溅镀完成再进行物料更换，极大地缩短了单个生产周期，大幅提升了单位时间内的产量，使生产效率实现质的飞跃。

本发明授权一种半导体溅镀系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体溅镀方法，其特征在于，包括： 将第一待镀物放置于第一溅镀载体上的第一固定座； 将所述第一固定座推入溅镀的预溅镀腔室； 关闭预溅镀腔室闸门，使用干泵将其抽至预定真空度； 将第一待镀物依据工艺配方进行后续溅镀操作； 在第一待镀物溅镀期间，将第二待镀物放置于第二溅镀载体上的第二固定座，然后将所述第二固定座推至升降结构上层区的升降平台上，经由升降平台降至升降结构下层区等待； 溅镀结束后，第一已镀物退到预溅镀腔室，打开闸门破坏真空，并通过第一固定座将其拉出至第一溅镀载体； 将所述第二固定座由升降结构下层区上升至升降结构上层区，并立刻推进预溅镀腔室，重复上述预溅镀腔室抽真空及溅镀操作流程； 在第二待镀物溅镀期间，将第一已镀物从第一溅镀载体的第一固定座取下，放入第三待镀物，重复上述全部操作步骤，实现连续的半导体溅镀作业； 所述半导体溅镀流程中： 不同尺寸之待镀物TL时间不固定,小尺寸待镀物取放时间TL小大尺寸待镀物取放时间TL大，当执行不同尺寸待镀物溅镀时，存在闲置时间Tidle，此时： 需满足TS+Tcool=TL大+Tidle； 其中TL为上料下料时间，为20至30分钟；TS为溅镀时间，为40至50分钟；Tcool为腔体降温时间,为5至15分钟。

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