同济大学游小春获国家专利权
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龙图腾网获悉同济大学申请的专利一种修复和改善电源开关单元引入的电源电迁移的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120106003B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510227605.2，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权一种修复和改善电源开关单元引入的电源电迁移的方法是由游小春;贺青设计研发完成，并于2025-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种修复和改善电源开关单元引入的电源电迁移的方法在说明书摘要公布了：本发明属于集成电路设计领域，特别涉及一种集成电路中修复和改善电源开关单元引入的电源电迁移的方法。采用如下方案布置电源开关单元上方的电源布局：电源VDD布线为一根或多根，布置于M3、M5层；M3、M5纵向金属层上，以常开电源VDD为中心，左右两边分布一根或者多根门控电源纵向VDD_gatednet；每根VDD_gated布线附近配合布置VSS布线；M2层布置横向VDD_gatednet，通过通孔V23连接M2层横向VDD_gatednet和M3层纵向VDD_gatednet。本发明方法直接改善了电源开关单元上方EM现象，从电源布局上预防了本类EM违例，也提高了电源的健壮性，使得整体的电源网络更加的强健。
本发明授权一种修复和改善电源开关单元引入的电源电迁移的方法在权利要求书中公布了：1.一种修复和改善电源开关单元引入的电源电迁移的方法，其特征在于，采用如下方案布置电源开关单元上方的电源布局： 电源VDD布线为一根或多根，布置于M3、M5层； M3、M5纵向金属层上，以常开电源VDD为中心，左右两边分布一根或者多根门控电源纵向VDD_gatednet； 每根VDD_gated布线附近配合布置VSS布线，以组成VDD_gated、VSS电源对，使电压网络均匀分布； M2层布置横向VDD_gatednet，通过通孔V23连接M2层横向VDD_gatednet和M3层纵向VDD_gatednet； 输出电流从电源开关单元中央上方的横向M2分别向左右两边进行输出； 电源网络的布局，存在电源开关单元的地方，按照上述方案进行电源布局；不存在电源开关单元的地方，按照常规布局。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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