浙江求是半导体设备有限公司;浙江晶瑞电子材料有限公司;浙江晶盛机电股份有限公司盛永江获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江求是半导体设备有限公司;浙江晶瑞电子材料有限公司;浙江晶盛机电股份有限公司申请的专利基于激光隐形的晶片加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120244307B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510734777.9，技术领域涉及：B23K26/53；该发明授权基于激光隐形的晶片加工方法是由盛永江;欧阳鹏根;刘小琴;杨水淼;赵阳阳;李佳强;丁津伟设计研发完成，并于2025-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于激光隐形的晶片加工方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于激光隐形的晶片加工方法，所述方法包括：步骤A、实施首轮激光隐形加工，在晶片内得到多条并排间隔分布的第一切痕和多个第一痕间区域；步骤C、实施后续激光隐形加工，在晶片内得到多条并排间隔分布的后续切痕和多个后续痕间区域，后续切痕包括多条分别位于多个第一痕间区域内的第二切痕，后续痕间区域包括多个第二痕间区域和第三痕间区域，每个第二切痕划分第一痕间区域为第二痕间区域和第三痕间区域。本发明能够降低晶片的剥离难度，还能够减薄晶片的损耗层，从而降低晶片的生产成本；由于无需沿切痕反复移动激光焦点，本发明能够减少激光焦点沿切痕移动的次数，晶片内部出现缺陷的概率下降，从而提高了晶片的生产良率。
本发明授权基于激光隐形的晶片加工方法在权利要求书中公布了：1.一种基于激光隐形的晶片加工方法，其特征在于，包括： A、实施首轮激光隐形加工，在晶片100内得到多条并排间隔分布的第一切痕20和多个第一痕间区域30； C、实施后续激光隐形加工，在晶片100内得到多条并排间隔分布的后续切痕和多个后续痕间区域， 后续切痕包括多条分别位于多个第一痕间区域30内的第二切痕40，后续痕间区域包括多个第二痕间区域51和第三痕间区域52，每个第二切痕40划分第一痕间区域30为第二痕间区域51和第三痕间区域52； 先执行步骤A并获得N条第一切痕20和N－1个第一痕间区域30，然后再执行步骤C，N为第一切痕20的预期获得数量。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江求是半导体设备有限公司;浙江晶瑞电子材料有限公司;浙江晶盛机电股份有限公司，其通讯地址为：311100 浙江省杭州市临平区临平街道顺达路500号1幢102室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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