杭州市北京航空航天大学国际创新研究院(北京航空航天大学国际创新学院)张忠翔获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州市北京航空航天大学国际创新研究院(北京航空航天大学国际创新学院)申请的专利基于异质材料同面集成的片上天线与脉冲源集成器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120261994B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510703592.1，技术领域涉及：H01Q1/38；该发明授权基于异质材料同面集成的片上天线与脉冲源集成器件是由张忠翔;方霄;郑翔宇;肖晨;赵巍胜设计研发完成，并于2025-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于异质材料同面集成的片上天线与脉冲源集成器件在说明书摘要公布了：本发明公开了基于异质材料同面集成的片上天线与脉冲源集成器件，涉及天线技术领域；包括基衬底：所述基衬底作为器件的主要支撑基板；光电导衬底，所述光电导衬底植入基衬底的槽中，并通过液态粘合剂固定；电极结构，用于连接信号通路，所述电极结构包括辐射结构、采样结构、传输结构及激励结构；阻抗转换传输结构，用于确保高频信号在光电导衬底到基衬底的过渡区域传输特性连续；该基于异质材料同面集成的片上天线与脉冲源集成器件，提升器件的集成密度，在有限的芯片面积内整合更多的功能；提高器件的性能，由于材料匹配和电路设计更加优化，其能效和精度会得到提升；简化制造工艺，降低了成本，具有广泛的应用前景。
本发明授权基于异质材料同面集成的片上天线与脉冲源集成器件在权利要求书中公布了：1.基于异质材料同面集成的片上天线与脉冲源集成器件，其特征在于：包括如下： 基衬底：所述基衬底作为器件的主要支撑基板，所述基衬底上开有槽，所述基衬底选择硅、玻璃或PCB材料种任意一种； 光电导衬底，所述光电导衬底为GaAs或InP材料，所述光电导衬底植入基衬底的槽中，并通过液态粘合剂固定，所述槽的深度与待植入的光电导衬底厚度相当； 电极结构，形成于所述基衬底与光电导衬底的集成平面上，用于连接信号通路，包括： 辐射结构，为天线电极，用于将交变电流转化为高频电磁波辐射； 采样结构和激励结构，其间隙部分为光电导衬底，用于控制电流传播并优化器件性能； 传输结构，为GSG共面波导电极，用于传输电流信号并接收反向传播的信号； 阻抗转换传输结构，为共面波导电极，用于确保高频信号在光电导衬底与基衬底过渡区域的传输特性连续。
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