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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利半导体器件及功率设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120264846B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510749324.3，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体器件及功率设备是由支海朝;冯思睿;王晓萍;万玉喜设计研发完成，并于2025-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及功率设备在说明书摘要公布了：本公开的半导体器件及功率设备，包括具有N型场效应晶体管和P型场效应晶体管的驱动电路，N型场效应晶体管包括4H‑SiC衬底、在其碳面的第一3C‑SiC层、位于第一3C‑SiC层远离4H‑SiC衬底的第一栅极、第一、二电极，P型场效应晶体管包括4H‑SiC衬底、在其硅面的第二3C‑SiC层、位于第二3C‑SiC层远离4H‑SiC衬底的第二栅极、第三、四电极；互联柱，贯穿4H‑SiC衬底并与第一、二3C‑SiC层、4H‑SiC衬底绝缘，互联柱包括第一、二、三互联柱，第一互联柱连接第一、二栅极，第二互联柱连接第一、三电极，第三互联柱连接第四电极与恒定电压源的一端，恒定电压源的另一端和第二电极接地。

本发明授权半导体器件及功率设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 驱动电路，所述驱动电路包括间隔设置的N型场效应晶体管和P型场效应晶体管，其中，所述N型场效应晶体管包括4H-SiC衬底、位于所述4H-SiC衬底的碳面所在侧的第一3C-SiC层、以及位于所述第一3C-SiC层远离所述4H-SiC衬底的一侧的第一栅极、第一电极和第二电极，所述P型场效应晶体管包括所述4H-SiC衬底、位于所述4H-SiC衬底的硅面所在侧的第二3C-SiC层、以及位于所述第二3C-SiC层远离所述4H-SiC衬底的一侧的第二栅极、第三电极和第四电极； 互联柱，贯穿所述4H-SiC衬底，所述互联柱与所述第一3C-SiC层、所述4H-SiC衬底和所述第二3C-SiC层相互绝缘，所述互联柱包括第一互联柱、第二互联柱和第三互联柱，所述第一互联柱连接所述第一栅极与所述第二栅极，所述第二互联柱连接所述第一电极与所述第三电极，所述第三互联柱连接所述第四电极与恒定电压源的一端，所述恒定电压源的另一端、以及所述第二电极均接地； 所述第一电极为源极、所述第二电极为漏极，所述第三电极为源极，所述第四电极为漏极；或者，所述第一电极为源极、所述第二电极为漏极，所述第三电极为漏极，所述第四电极为源极；或者，所述第一电极为漏极、所述第二电极为源极，所述第三电极为源极，所述第四电极为漏极；或者，所述第一电极为漏极、所述第二电极为源极，所述第三电极为漏极，所述第四电极为源极。

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