湘潭大学王金斌获国家专利权
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龙图腾网获悉湘潭大学申请的专利一种一面欧姆一面肖特基的PN结型CZT探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120302732B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510788803.6，技术领域涉及：H10F30/29；该发明授权一种一面欧姆一面肖特基的PN结型CZT探测器及其制备方法是由王金斌;谭泽文;戴伟;钟向丽;宋宏甲;伏钊设计研发完成，并于2025-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种一面欧姆一面肖特基的PN结型CZT探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种一面欧姆一面肖特基的PN结型CZT探测器及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括探测器主体、阴极和阳极；其中，所述探测器主体的上表面为所述阳极，所述阳极为AuIn复合电极；所述探测器主体的下表面为所述阴极，所述阴极为AuCr复合电极。本发明探测器一面采用肖特基接触，一面采用欧姆接触，阳极作为收集电极形成肖特基接触，形成向下弯曲的势垒，抵挡空穴注入，降低漏电流；阴极作为施压电极形成欧姆接触；该结构在阴极处加负电压，理想情况下，偏压通过欧姆结直接施加在p‑n结也就是肖特基接触处，随着势垒逐渐降低，电压逐步施加到体电阻从结处开始向下耗尽，直到完全耗尽。
本发明授权一种一面欧姆一面肖特基的PN结型CZT探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种一面欧姆一面肖特基的PN结型CZT探测器，其特征在于，包括探测器主体、阴极和阳极；所述探测器主体材料为碲锌镉； 其中，所述探测器主体的上表面为所述阳极，所述阳极为AuIn复合电极； 所述探测器主体的下表面为所述阴极，所述阴极为AuCr复合电极； 所述阳极为正方形平面电极，边长为0.1-0.5mm；所述阳极由下至上依次为In层和第一Au接触层，所述In层的厚度为100-200nm，所述第一Au接触层的厚度为50-100nm； 所述阴极为正方形平面电极，边长为0.1-0.5mm；所述阴极由下至上依次为第二Au接触层和Cr层，所述Cr层的厚度为5-20nm，所述第二Au接触层的厚度为50-100nm； 所述AuIn复合电极将In扩散形成n+重掺杂层，与P型基体形成p-n结，形成肖特基接触，所述AuCr复合电极与所述探测器主体形成欧姆接触。
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