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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利半导体器件及功率设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120322011B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510786807.0，技术领域涉及：H10D84/80；该发明授权半导体器件及功率设备是由陈嘉祥;张道华;杨茂谨;焦腾;张兴业;刘妍;查显弧;万玉喜设计研发完成，并于2025-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及功率设备在说明书摘要公布了：本公开的半导体器件及功率设备，包括衬底；缓冲层，位于衬底的一侧；沟道层，位于缓冲层远离衬底的一侧；势垒层，位于沟道层远离缓冲层的一侧；沟槽，贯穿势垒层和沟道层、并延伸至缓冲层中；欧姆接触层，填充沟槽；源漏极金属层，位于欧姆接触层远离衬底的一侧，源漏极金属层包括源极和漏极；栅极金属层，位于势垒层远离沟道层的一侧，栅极金属层包括栅极和阳极；钝化层，包括第一过孔和第二过孔，其中，第一过孔在衬底上的正投影与源极在衬底上的正投影相互交叠，第二过孔在衬底上的正投影与阳极在衬底上的正投影相互交叠；源极场板层，源极场板层通过第一过孔、第二过孔连接源极与阳极，且源极场板层与栅极通过钝化层相互绝缘。

本发明授权半导体器件及功率设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 缓冲层，位于所述衬底的一侧； 沟道层，位于所述缓冲层远离所述衬底的一侧； 势垒层，位于所述沟道层远离所述缓冲层的一侧； 沟槽，贯穿所述势垒层和所述沟道层、并延伸至所述缓冲层中； 欧姆接触层，填充所述沟槽； 源漏极金属层，位于所述欧姆接触层远离所述衬底的一侧，所述源漏极金属层包括源极和漏极； 栅极金属层，位于所述势垒层远离所述沟道层的一侧，所述栅极金属层包括栅极和阳极； 钝化层，包括第一过孔和第二过孔，其中，所述第一过孔在所述衬底上的正投影与所述源极在所述衬底上的正投影相互交叠，所述第二过孔在所述衬底上的正投影与所述阳极在所述衬底上的正投影相互交叠； 源极场板层，所述源极场板层通过所述第一过孔、所述第二过孔连接所述源极与所述阳极，且所述源极场板层与所述栅极通过所述钝化层相互绝缘； 还包括δ掺杂层，所述δ掺杂层位于所述沟道层与所述势垒层之间，所述δ掺杂层的材料包括Si和Sn中的至少一者、以及AlxGa1-x2O3，0.01≤x≤0.5；Si和或Sn在所述δ掺杂层中的掺杂浓度为1018cm-3~1020cm-3，所述沟道层的厚度为1nm~5nm；所述缓冲层的材料包括Ga2O3，所述沟道层的材料包括AlyGa1-y2O3，0.1≤y≤0.5，所述势垒层的材料包括AlzGa1-z2O3，0.01≤z≤0.5，AlxGa1-x2O3和AlzGa1-z2O3的晶相与AlyGa1-y2O3的晶相不同。

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