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龙图腾网获悉浙江晶科能源有限公司申请的专利太阳能电池片及其制作方法、叠层电池、光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120343976B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510828908.X，技术领域涉及：H10F10/14；该发明授权太阳能电池片及其制作方法、叠层电池、光伏组件是由高利冬;马振彪;王振刚;徐伟平设计研发完成，并于2025-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本太阳能电池片及其制作方法、叠层电池、光伏组件在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池片及其制作方法、叠层电池、光伏组件，其中，太阳能电池片包括：基底，基底包括相对的正面和背面，基底还具有第一区及第二区；隧穿层，隧穿层覆盖基底的背面；掺杂导电层，掺杂导电层覆盖隧穿层的表面，其中，正投影位于第一区内的掺杂导电层包括：层叠设置的第一掺杂子层及第二掺杂子层，第一掺杂子层覆盖隧穿层的表面，第二掺杂子层覆盖第一掺杂子层的表面，第一掺杂子层的掺杂浓度小于第二掺杂子层的掺杂浓度，第二掺杂子层的材料为纳米晶硅，或者第二掺杂子层部分材料为非晶硅，第一掺杂子层的材料为多晶硅；钝化层；背面电极，背面电极与第二掺杂子层电连接。可以提高太阳能电池片的可靠性。

本发明授权太阳能电池片及其制作方法、叠层电池、光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池片的制作方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括相对的正面和背面，所述基底还具有交替排布的第一区及第二区； 形成隧穿层，所述隧穿层覆盖所述基底的背面； 形成掺杂导电层，所述掺杂导电层覆盖所述隧穿层远离所述正面的表面，其中，在所述基底表面正投影位于所述第一区内的所述掺杂导电层包括：层叠设置的第一掺杂子层及第二掺杂子层，所述第一掺杂子层覆盖所述隧穿层的表面，所述第二掺杂子层覆盖所述第一掺杂子层的表面，所述第一掺杂子层的掺杂浓度小于所述第二掺杂子层的掺杂浓度，所述第二掺杂子层的材料为纳米晶硅，或者所述第二掺杂子层部分材料为非晶硅，所述第一掺杂子层的材料为多晶硅； 形成钝化层，所述钝化层覆盖所述掺杂导电层的表面； 形成背面电极，所述背面电极与所述第二掺杂子层电连接； 形成掺杂导电层的方法包括：形成功能层，所述功能层覆盖所述隧穿层的表面；在所述功能层的表面涂覆掺杂剂；进行激光掺杂工艺，所述激光掺杂工艺提供激光，激光照射正投影位于所述第一区的所述功能层，以使部分厚度的所述功能层转换为熔融态，在所述激光照射所述功能层的过程中，掺杂剂内的掺杂离子扩散进所述功能层内，熔融态的所述功能层转换为第二掺杂子层，剩余所述功能层转换为所述第一掺杂子层；随着掺杂深度的增加，降低所述激光掺杂工艺的激光能量密度。

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