合肥晶合集成电路股份有限公司刘秀梅获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利光罩修正方法、装置、设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120469148B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510963084.7，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权光罩修正方法、装置、设备及介质是由刘秀梅;罗招龙设计研发完成，并于2025-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本光罩修正方法、装置、设备及介质在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种光罩修正方法、装置、设备及介质，光罩修正方法包括：获取已知参数的测试版图；基于已知参数训练初始光学临近效应修正模型，至成本评价函数及均方根值均最小，得到光学修正模型；获取测试版图的光化学反应参数，基于光化学反应参数训练光学修正模型，至成本评价函数及均方根值均最小，得到目标版图修正模型；将初始版图输入目标版图修正模型，得到修正后版图，以基于修正后版图得到目标光罩，至少能够保证曝光后光罩图案与用户实际希望得到的目标图形一致。
本发明授权光罩修正方法、装置、设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种光罩修正方法，其特征在于，包括： 获取已知参数的测试版图，所述测试版图包括将已知参数的区块单体周期性重复得到周期性分布的多个子图形；所述已知参数包括图形参数、黄光参数及膜层参数，所述膜层参数包括叠层数、膜层材质、膜层厚度及光刻胶参数；所述黄光参数包括黄光波长、光照强度、光刻机曝光的光源参数； 将所述已知参数为输入，将所述多个子图形的中心点坐标值在曝光后版图中的坐标信息为输出，训练初始光学临近效应修正模型，至成本评价函数及均方根值均最小，得到用于避免光学临近效应且缩短模型训练时间的光学修正模型； 获取测试版图的光化学反应参数，所述光化学反应参数包括：在图形密集区、稀疏区的反应速率、扩散速率，以及光酸、光碱在切向和法向的反应速率、扩散速率； 基于所述光化学反应参数训练所述光学修正模型，至成本评价函数及均方根值均最小，得到用于补偿因光化学反应各向异性导致的图形变形的目标版图修正模型； 将初始版图输入所述目标版图修正模型，得到轮廓误差小于或等于0.1nm的修正后版图，以及基于所述修正后版图得到目标光罩。
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