买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120545245B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511024193.9，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权半导体结构及其制备方法是由江珂;林祐丞;王冉设计研发完成，并于2025-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，方法包括：提供半导体材料层，半导体材料层用于形成至少两个凹槽；在半导体材料层的一侧形成第一硬掩模层，蚀刻第一硬掩模层以形成至少两个开口，开口用于定义凹槽的关键尺寸；在开口中形成刻蚀引导结构，刻蚀引导结构的上表面高于第一硬掩模层的上表面；形成覆盖第一硬掩模层和刻蚀引导结构的介质层，介质层的上表面与刻蚀引导结构的上表面齐平；在介质层背离第一硬掩模层的一侧形成光刻胶层，在开口的对应位置处对光刻胶层进行不同深度的曝光以形成不同深度的光刻胶凹槽；基于不同深度的光刻胶凹槽对刻蚀引导结构和半导体材料层执行一次性刻蚀，以在半导体材料层中形成不同深度的凹槽。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供半导体材料层，所述半导体材料层用于形成至少两个凹槽； 在所述半导体材料层的一侧形成第一硬掩模层，蚀刻所述第一硬掩模层以形成至少两个开口，所述开口用于定义所述凹槽的关键尺寸； 在所述开口中形成刻蚀引导结构，所述刻蚀引导结构的上表面高于所述第一硬掩模层的上表面； 形成覆盖所述第一硬掩模层和所述刻蚀引导结构的介质层，所述介质层的上表面与所述刻蚀引导结构的上表面齐平； 在所述介质层背离所述第一硬掩模层的一侧形成光刻胶层，在所述开口的对应位置处对所述光刻胶层进行不同深度的曝光以形成不同深度的光刻胶凹槽； 基于所述不同深度的光刻胶凹槽对所述刻蚀引导结构和所述半导体材料层执行一次性刻蚀，以在所述半导体材料层中形成不同深度的凹槽； 在所述开口中形成刻蚀引导结构包括： 形成软膜层，所述软膜层覆盖所述第一硬掩模层和所述至少两个开口； 在所述软膜层背离所述第一硬掩模层的一侧形成第二掩模层，基于所述第一硬掩模层中开口的位置对所述第二掩模层进行图案化，以形成图案化的第二掩模层； 基于所述图案化的第二掩模层蚀刻所述软膜层，以形成所述刻蚀引导结构，所述刻蚀引导结构的至少一部分位于所述开口中，所述刻蚀引导结构的上表面高于所述第一硬掩模层的上表面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。