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龙图腾网获悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构的制造方法、半导体结构及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120565500B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511048213.6，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构的制造方法、半导体结构及半导体器件是由耿佳;邓元吉;卢俊玮设计研发完成，并于2025-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制造方法、半导体结构及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种半导体结构的制造方法、半导体结构及半导体器件，该方法包括：提供基底；基底包括衬底和依次形成于衬底表面的图案化材料层、第一硬掩膜层以及第二硬掩膜层；刻蚀第二硬掩膜层，形成第二硬掩膜层开口；在刻蚀第二硬掩膜层的过程中，利用产生的刻蚀副产物在第二硬掩膜层开口的侧面形成与第一硬掩膜层材料不同的保护层；基于第二硬掩膜层开口刻蚀第一硬掩膜层，形成第一硬掩膜层开口；在刻蚀第一硬掩膜层的过程中，对第一硬掩膜层的材料的刻蚀速率大于对保护层的材料的刻蚀速率；基于第一硬掩膜层开口刻蚀图案化材料层，得到半导体结构。通过本申请实施例，提升了刻蚀图案化材料层形成的图案的尺寸均匀性。

本发明授权半导体结构的制造方法、半导体结构及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供基底；所述基底包括衬底、形成于所述衬底表面的图案化材料层、形成于所述图案化材料层远离所述衬底的表面的第一硬掩膜层以及形成于所述第一硬掩膜层远离所述衬底的表面的第二硬掩膜层；其中，所述第一硬掩膜层和所述第二硬掩膜层材料不同； 刻蚀所述第二硬掩膜层，形成使所述第一硬掩膜层暴露的第二硬掩膜层开口；其中，刻蚀所述第二硬掩膜层的等离子体包括四氯化硅；在刻蚀所述第二硬掩膜层的过程中，反应温度落入35℃~40℃范围内，利用产生的刻蚀副产物在所述第二硬掩膜层开口的侧面形成保护层；所述保护层与所述第一硬掩膜层的材料不同； 基于所述第二硬掩膜层开口刻蚀所述第一硬掩膜层，形成使所述图案化材料层暴露的第一硬掩膜层开口，包括：基于所述第二硬掩膜层开口对所述第一硬掩膜层进行第一刻蚀，形成过渡开口，得到过渡硬掩膜层；其中，所述过渡开口具有由所述第一硬掩膜层的材料形成的底面；去除所述保护层；基于所述过渡开口对所述过渡硬掩膜层进行第二刻蚀，形成贯穿所述过渡硬掩膜层的所述第一硬掩膜层开口；在刻蚀所述第一硬掩膜层的过程中，对所述第一硬掩膜层的材料的刻蚀速率大于对所述保护层的材料的刻蚀速率； 基于所述第一硬掩膜层开口刻蚀所述图案化材料层，得到所述半导体结构。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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