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龙图腾网获悉北京宽温微电子科技有限公司申请的专利SRAM芯片、SRAM芯片控制方法及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120581051B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511088934.X，技术领域涉及：G11C11/413；该发明授权SRAM芯片、SRAM芯片控制方法及电子设备是由朱桂林;郑遨金;周戬设计研发完成，并于2025-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本SRAM芯片、SRAM芯片控制方法及电子设备在说明书摘要公布了：本发明涉及SRAM技术领域，提供一种SRAM芯片、SRAM芯片控制方法及电子设备，SRAM芯片包括SRAM阵列，行解码器和列解码器；行解码器对应每行6T‑SRAM单元设置有字线；每列6T‑SRAM单元的接地端通过放电NMOS管接地；列解码器设置有写使能信号端、读使能信号端、或门，对应每列6T‑SRAM单元的读选择信号端、写选择信号端、与非门；写使能信号端、读使能信号端连接或门输入端，或门输出端连接各列与非门的输入端；每列与非门的输入端连接对应列的读选择信号端和写选择信号端，每列与非门的输出端连接对应列的放电NMOS管的栅极。以解决SRAM阵列难以兼顾功耗低、面积开销低和控制时序简单的问题。

本发明授权SRAM芯片、SRAM芯片控制方法及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种SRAM芯片，其特征在于，包括静态随机存取存储器SRAM阵列，行解码器和列解码器；所述行解码器对应所述SRAM阵列的每行6T-SRAM单元设置有字线，所述列解码器对应所述SRAM阵列的每列6T-SRAM单元设置有位线和互补位线； 每列6T-SRAM单元的接地端通过放电NMOS管接地；所述列解码器设置有写使能信号端，读使能信号端，以及或门；所述列解码器对应每列6T-SRAM单元设置有读选择信号端，写选择信号端，以及与非门； 所述写使能信号端和所述读使能信号端连接所述或门的输入端，所述或门的输出端连接各列与非门的输入端；每列与非门的输入端还连接对应列的读选择信号端和写选择信号端，每列与非门的输出端连接对应列的放电NMOS管的栅极； 其中，所述SRAM阵列的第三选择单元对应的读选择信号端、写选择信号端、或门输出端中只要有一个置为低电平，所述第三选择单元对应的放电NMOS管就会导通；只有所述第三选择单元对应的读选择信号端、写选择信号端、或门输出端三者均为高电平时，所述第三选择单元对应的放电NMOS管才会关断。

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