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龙图腾网获悉合肥安德科铭半导体科技有限公司申请的专利一种第VIB族金属前驱体的合成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120590442B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511076709.4，技术领域涉及：C07F11/00；该发明授权一种第VIB族金属前驱体的合成方法是由赵洋强;李丽君;张学奇;李建恒设计研发完成，并于2025-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种第VIB族金属前驱体的合成方法在说明书摘要公布了：本发明属于过渡族金属有机物合成技术领域，具体公开了一种第VIB族金属前驱体的合成方法，所述方法包括：使用金属原料MO2X2和含[R1N=C]结构的化合物反应制备中间体R1N2MX2的步骤；使所述中间体和碱性物质M0NR2R3y反应获得第VIB族金属前驱体R1N2MNR2R32的步骤；其中M为Mo或W，X为卤素，R1选自C1‑C10的烷基，R2、R3独立地选自H、C1‑C10的烷基中的至少一种，M0为碱金属或碱土金属，y为M0的化合价。本发明的合成方法整体反应路线简单高效，耗时短，反应产率高且稳定，适合于工业化生产使用，所得产品更容易提纯，提纯后产品纯度可达到≥6N的级别。

本发明授权一种第VIB族金属前驱体的合成方法在权利要求书中公布了：1.一种第VIB族金属前驱体的合成方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、使金属原料MO2X2、含[R1N=C]结构的化合物和第一溶剂反应得到含有中间体R1N2MX2的体系一； S2、使R4M0和HNR2R3在第二溶剂中反应得到含有碱性物质M0NR2R3y的体系二； S3、将体系一和体系二混合反应以获得第VIB族金属前驱体R1N2MNR2R32粗品；分离、提纯粗品即可； 其中M为Mo或W，X为卤素，R1选自C1-C10的烷基，R2、R3独立地选自H、C1-C10的烷基中的至少一种，R4选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、1-乙基丙基、1,2-二甲基丙基、2,2-二甲基丙基中的任一种，M0为碱金属或碱土金属，y为M0的化合价； 所述含[R1N=C]结构的化合物为R1NCO； 第一溶剂为醚类溶剂、芳香烃类溶剂、腈类溶剂中的至少一种；第二溶剂为烷烃类溶剂中的至少一种； 醚类溶剂为乙二醇二甲醚、四氢呋喃、2-甲基四氢呋喃中的至少一种；芳香烃类溶剂为甲苯、乙苯中的至少一种；腈类溶剂为乙腈；烷烃类溶剂为正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷中的至少一种。

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