苏州大学苏晓东获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州大学申请的专利一种低紫外衰减晶硅异质结太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120603331B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511107642.6，技术领域涉及：H10F10/164；该发明授权一种低紫外衰减晶硅异质结太阳能电池及其制备方法是由苏晓东;赵鑫琪;校逸凡;邹帅;芦政;崔昊亮设计研发完成，并于2025-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低紫外衰减晶硅异质结太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种低紫外衰减晶硅异质结太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池包括依次设置的受光面层、宽禁带半导体膜层、非晶硅层和硅基体，所述宽禁带半导体膜层和所述非晶硅层形成异质结；所述宽禁带半导体膜层的带隙宽度大于3eV且厚度为5nm‑20nm，所述宽禁带半导体膜层具备紫外波段的光吸收能力且能够在紫外波段产生光生载流子，所述光生载流子能够经由所述异质结输运至所述硅基体并参与光电转换。本发明方案提升了晶硅异质结太阳能电池的紫外稳定性与转换效率。
本发明授权一种低紫外衰减晶硅异质结太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低紫外衰减晶硅异质结太阳能电池，其特征在于，包括依次设置的受光面层、宽禁带半导体膜层、非晶硅层和硅基体，所述宽禁带半导体膜层和所述非晶硅层形成异质结； 所述宽禁带半导体膜层的带隙宽度大于3eV且厚度为5nm-20nm，所述宽禁带半导体膜层具备紫外波段的光吸收能力且能够在紫外波段产生光生载流子，所述光生载流子能够经由所述异质结输运至所述硅基体并参与光电转换； 所述非晶硅层包括： 缓冲过渡子层，与所述宽禁带半导体膜层接触，其为本征非晶硅层或微掺杂的非晶硅层，用于实现能带的渐变连接； 掺杂型非晶硅子层，与所述硅基体接触，用于实现载流子选择性输运。
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