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龙图腾网获悉深圳市源微创新实业有限公司申请的专利基于自旋电子的低功耗数据存储方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120690245B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511181111.1，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权基于自旋电子的低功耗数据存储方法及系统是由申佳;鲍斌;刘海波设计研发完成，并于2025-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于自旋电子的低功耗数据存储方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及数据存储技术领域，具体为一种基于自旋电子的低功耗数据存储方法及系统。在自旋轨道耦合异质结中通过正交电磁场调控生成自旋流，异质结包括重金属层与具有垂直磁各向异性的铁磁层；将自旋流注入存储单元，存储单元包括铁磁自由层、拓扑绝缘体层和铁磁参考层。本发明通过自旋轨道耦合异质结的正交电磁场联合调控，将自旋霍尔电流的极化方向与铁磁层磁化方向形成非正交夹角，提高了自旋轨道扭矩的转换效率，同时通过梯度掺杂技术优化界面自旋弛豫时间，使自旋扩散长度突破传统异质结的物理极限。

本发明授权基于自旋电子的低功耗数据存储方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于自旋电子的低功耗数据存储方法，其特征在于，所述方法的步骤包括：在自旋轨道耦合异质结中通过正交电磁场调控生成自旋流，所述异质结包括重金属层与具有垂直磁各向异性的铁磁层；将所述自旋流注入存储单元，通过自旋动量锁定效应诱导磁化翻转，所述存储单元包括铁磁自由层、拓扑绝缘体层和铁磁参考层；通过非对称双势垒隧道结检测所述铁磁自由层的磁化状态，并根据检测结果动态重构自旋流极化方向；通过时空纠缠自旋波场对存储阵列进行协同操作，所述时空纠缠自旋波场的相位分布由量子干涉条件约束；在非易失性存储阶段触发磁畴壁拓扑态转换，并利用反铁磁交换偏置场锁定存储状态； 所述自旋动量锁定效应的实现步骤包括： 建立包括自旋轨道扭矩与磁各向异性的联合作用方程： ，其中，η为界面自旋转换效率，m为磁化矢量，为指向z轴方向的单位矢量，mz2为磁化矢量在z方向的分量，∇为梯度算子，Js为自旋流密度，Ku为垂直各向异性常数，Γ为拓扑稳定性系数； 求解所述联合作用方程的能量极值点，确定磁化矢量m的稳态解与非稳态解边界； 通过调控自旋流密度的空间梯度，在铁磁自由层中形成具有拓扑保护的磁涡旋阵列； 所述时空纠缠自旋波场的构建步骤包括： 将存储阵列建模为二维量子伊辛格点系统，其哈密顿量表示为： ，其中，Jij为自旋-自旋交换作用，hx为横向量子隧穿场，hzt为含时纵向调控场，和分别为格点i和格点j的纵向自旋投影算符，为横向自旋投影算符； 通过绝热演化算法求解所述哈密顿量的基态波函数，获得自旋波相位的最优分布； 在存储阵列边缘施加环形边界条件，使自旋波场形成具有分数统计特性的任意子激发态； 绝热演化算法包括： 初始化纵向调控场hz0=0，不计交换作用强度对横向量子隧穿场的影响； 以指数衰减形式缓慢增强hzt，当系统演化至hzt≫Jij时，各格点磁化方向被锁定至目标存储状态。

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