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龙图腾网获悉物元半导体技术(青岛)有限公司申请的专利三维梯度散热结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120690762B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511186736.7，技术领域涉及：H01L23/367；该发明授权三维梯度散热结构及其制备方法是由张宇;颜天才;杨列勇;陈为玉设计研发完成，并于2025-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维梯度散热结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种三维梯度散热结构及其制备方法，本发明的三维梯度散热结构包括，芯片；中介层，所述芯片倒装设置于所述中介层上；散热柱，设置于所述中介层内，所述散热柱的一端延伸至所述中介层靠近所述芯片的一侧并于所述芯片耦合，所述散热柱的另一端向所述中介层远离所述芯片的一侧延伸；歧管盖板，设置于中介层远离所述芯片的一侧，所述歧管盖板内形成有微通道，所述微通道与所述散热柱远离所述芯片的一端连接，所述中介层和所述歧管盖板之间设置有界面层。通过嵌入散热柱+界面层+歧管盖板的协同，构建成三维热传递网络，有效提高散热效率。

本发明授权三维梯度散热结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三维梯度散热结构，其特征在于，包括： 芯片； 中介层，所述芯片倒装设置于所述中介层上； 散热柱，设置于所述中介层内，所述散热柱的一端延伸至所述中介层靠近所述芯片的一侧并与所述芯片耦合，所述散热柱的另一端向所述中介层远离所述芯片的一侧延伸； 歧管盖板，设置于中介层远离所述芯片的一侧，所述歧管盖板内形成有微通道，所述微通道与所述散热柱远离所述芯片的一端连接； 界面层，所述界面层阵列式分布于所述中介层和所述歧管盖板之间，其中，所述界面层包括银胶层和铟基薄膜，靠近所述芯片一侧为所述界面层中的所述银胶层，其中所述银胶层由60%-80%的银片、20%-40%的环氧树脂以及5%-15%的石墨烯组成；以及远离芯片一侧为所述界面层中的所述铟基薄膜，其中所述铟基薄膜包括靠近所述芯片一侧的铟锡合金层和靠近所述歧管盖板一侧的铟银-石墨烯梯度层，调整所述铟银-石墨烯梯度层中石墨烯的含量使得所述铟银-石墨烯梯度层中石墨烯含量由芯片侧向歧管盖板侧梯度增加，从而所述界面层自所述中介层指向所述歧管盖板方向的导热率逐渐提升。

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