山东大学崔潆心获国家专利权
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龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种碳化硅功率MOSFET及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120711779B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511202776.6，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种碳化硅功率MOSFET及其制作方法是由崔潆心;刘芝新;徐现刚;韩吉胜设计研发完成，并于2025-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅功率MOSFET及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种碳化硅功率MOSFET及其制作方法。本发明提供的碳化硅功率MOSFET，包括衬底、第一外延层、第一CSL层、第一Pbody区域、第二外延层、第二CSL层及第二Pbody区域，并在两Pbody区域之间设有沟槽区域，沟槽底部注入P+区域，侧壁分布N+区域；具体通过双层CSL层和Pbody结构降低导通电阻，同时延长JFET区域长度以限制短路电流，显著提升短路耐受时间，适用于高功率、高可靠性电力电子器件领域。
本发明授权一种碳化硅功率MOSFET及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅功率MOSFET，其特征在于，由下到上包括： 衬底； 依次层叠于所述衬底上的第一外延层、第一CSL层、第一外延层上注入得到的第一Pbody区域、第二外延层、第二CSL层、第二外延层上注入得到的第二Pbody区域； 设于所述第一Pbody区域和第二Pbody区域之间的沟槽区域，所述沟槽区域的下半部分环绕有P+区域，上半部分两侧分布有N+区域； 覆盖于所述第二外延层上方两侧的栅极氧化层和栅极多晶硅，所述栅极氧化层和栅极多晶硅部分覆盖住所述第二CSL层、部分第二Pbody区域及部分N+区域； 设于所述栅极多晶硅上方及侧面的电介质层，以及覆盖所述N+区域、电介质层区域和整个沟槽区域的源极金属层； 以及设于所述电介质层和源极金属层上方的顶层金属层。
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