讯创(天津)电子有限公司王萌获国家专利权
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龙图腾网获悉讯创(天津)电子有限公司申请的专利应用LMC工艺的碳化硅镀膜厚度测量方法、设备及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120721014B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511211441.0，技术领域涉及：G01B11/06；该发明授权应用LMC工艺的碳化硅镀膜厚度测量方法、设备及系统是由王萌;刘冬生设计研发完成，并于2025-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本应用LMC工艺的碳化硅镀膜厚度测量方法、设备及系统在说明书摘要公布了：本申请涉及镀膜厚度测量技术领域，具体涉及应用LMC工艺的碳化硅镀膜厚度测量方法、设备及系统，该方法包括：采集待测量碳化硅镀膜样品上预设各位置的反射光谱信号、厚度测量值与表面粗糙度；通过各位置的各反射光谱信号与其平滑处理得到的平滑反射光谱信号之间的差异程度，获取各位置的第一差异度；获取各位置的第二差异度与综合差异度；通过各位置与其余所有位置之间厚度测量值的差异量，结合所述表面粗糙度，获取各位置的表面特征值；分配各位置的权重；获取待测量碳化硅镀膜样品的镀膜厚度。本申请旨在通过合理分配待测量碳化硅镀膜样品上各位置的权重，提高镀膜厚度测量结果的可靠性和准确性。
本发明授权应用LMC工艺的碳化硅镀膜厚度测量方法、设备及系统在权利要求书中公布了：1.应用LMC工艺的碳化硅镀膜厚度测量方法，其特征在于，该方法包括以下步骤： 采集待测量碳化硅镀膜样品上预设各位置的反射光谱信号、厚度测量值与表面粗糙度； 对各反射光谱信号平滑处理得到各平滑反射光谱信号，通过各位置的各反射光谱信号与其平滑处理得到的平滑反射光谱信号之间的差异程度，获取各位置的第一差异度； 获取各平滑反射光谱信号的第一模态分量，分别获取各平滑反射光谱信号与其第一模态分量中的各特征峰；通过比较各平滑反射光谱信号与其第一模态分量中的特征峰的分布情况，获取各平滑反射光谱信号对应的位置的第二差异度； 通过所述第一差异度与所述第二差异度，获取各位置的综合差异度； 通过各位置与其余所有位置之间厚度测量值的差异量，结合所述表面粗糙度，获取各位置的表面特征值； 通过所述综合差异度与所述表面特征值，获取各位置的权重； 通过各位置的厚度测量值与权重，获取待测量碳化硅镀膜样品的镀膜厚度。
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