西安理工大学万银获国家专利权
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龙图腾网获悉西安理工大学申请的专利一种硅单晶生长界面形变检测方法、系统、设备和介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120748589B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511269432.7，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种硅单晶生长界面形变检测方法、系统、设备和介质是由万银;刘丁;刘逸凡;任俊超设计研发完成，并于2025-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅单晶生长界面形变检测方法、系统、设备和介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅单晶生长界面形变检测方法、系统、设备和介质，其涉及硅单晶生长软测量建模技术领域。包括：获取硅单晶生产过程中的工艺参数集合；将工艺参数集合中的工艺参数作为节点，将节点之间的互信息指标作为边，构建图结构模型；对图结构模型进行多层邻域聚合操作，得到初始特征；对初始特征进行注意力机制操作，得到聚合特征；采用长短期记忆网络对聚合特征进行加权操作，得到硅单晶生长界面的形变检测结果。本发明提升了对复杂动态过程的建模表达力，也显著增强了对异常形变演化趋势的敏感性与响应速度。
本发明授权一种硅单晶生长界面形变检测方法、系统、设备和介质在权利要求书中公布了：1.一种硅单晶生长界面形变检测方法，其特征在于，包括： 获取硅单晶生产过程中的工艺参数集合； 将工艺参数集合中的工艺参数作为节点，将节点之间的互信息指标作为边，构建图结构模型，所述互信息指标表征不同工艺参数在硅单晶生长过程中动态互影响程度的关联强度； 对图结构模型进行邻域聚合操作，以提取不同节点之间的空间依赖特征，得到初始特征； 对初始特征进行注意力机制操作，以动态调整初始特征中邻域节点的聚合权重，得到聚合特征； 采用长短期记忆网络对聚合特征进行加权操作，以捕捉聚合特征中反映生长界面形变的长期时序演化规律，得到硅单晶生长界面的形变检测结果。
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