成都博宇利华科技有限公司罗倩获国家专利权
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龙图腾网获悉成都博宇利华科技有限公司申请的专利一种适用于MCU的低功耗电路和电子设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223501316U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423143105.0，技术领域涉及：G05B19/042；该实用新型一种适用于MCU的低功耗电路和电子设备是由罗倩;何进;李平;赵行伦;王伟;刘俊设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种适用于MCU的低功耗电路和电子设备在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种适用于MCU的低功耗电路和电子设备，涉及电源管理技术领域，电连接的供电电源和MCU，MCU输出控制后级电源，其特征在于，所述供电电源和MCU之间还连接有用于控制MCU上电断电的低功耗控制电路。本实用新型增加低功耗控制电路，通过开关机按键信号实现MCU是上电断电，使得MCU的电源受控，使得CPU系统关机状态下，MCU没有供电，整个系统静态功耗几乎没有，更省电。
本实用新型一种适用于MCU的低功耗电路和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种适用于MCU的低功耗电路，包括电连接的供电电源和MCU，MCU输出控制后级电源，其特征在于，所述供电电源和MCU之间还连接有用于控制MCU上电断电的低功耗控制电路；所述低功耗控制电路包括MOS管Q1，所述MOS管Q1的源极与所述供电电源的输出端连接，所述MOS管Q1的漏极与所述MCU的供电输入端连接，所述MOS管Q1的源极还连接电阻R1的电容C1第一端，所述电阻R1的电容C1第二端连接所述MOS管Q1的栅极和电阻R2的第一端，所述电阻R2的第二端连接MOS管Q2的漏极和肖基特二极管D2的第一正极连接，所述肖基特二极管D2的第二正极连接所述MCU的输入管脚，肖基特二极管D2的负极连接电阻R4的第一端，所述电阻R4的第二端连接开关机按键的一端，所述开关机按键的另一端接地，所述连接MOS管Q2的栅极连接所述MCU的输出管脚、电阻R3和电容C6的第一端，电阻R3和电容C6的第二端以及所述MOS管Q2的源极接地。
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