广州增芯科技有限公司孙九龙获国家专利权
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龙图腾网获悉广州增芯科技有限公司申请的专利一种栅氧化层的缺陷测试结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223501876U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423070509.1，技术领域涉及：H01L23/544；该实用新型一种栅氧化层的缺陷测试结构是由孙九龙;焦志强;刘欣设计研发完成，并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种栅氧化层的缺陷测试结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种栅氧化层的缺陷测试结构，包括第一浅沟槽隔离区和测试有源区，其中，第一浅沟槽隔离区环绕测试有源区设置，且所述第一浅沟槽隔离区与所述测试有源区存在预设台阶高度。通过在第一浅沟槽隔离区和测试有源区的交界区域内以及测试有源区内分别设置至少一个第一金属栅极结构和至少一个第二金属栅极结构；从而实现了通过电子束枪扫描金属栅极结构，便可判断测试结构中栅氧化层的缺陷情况。又因为测试结构是和实际半导体器件同时制备，因而测试结构中的栅化层的缺陷情况即可反映实际器件中的栅化层的缺陷情况。并且该测试结构可以实现在线检测，避免了因完成器件制备后才进行缺陷检测而造成的晶圆浪费。
本实用新型一种栅氧化层的缺陷测试结构在权利要求书中公布了：1.一种栅氧化层的缺陷测试结构，其特征在于，所述缺陷测试结构设置于晶圆的切割道内，该缺陷测试结构包括： 第一浅沟槽隔离区和测试有源区，所述第一浅沟槽隔离区和所述测试有源区均位于所述切割道处内，所述第一浅沟槽隔离区与所述测试有源区存在预设台阶高度，且所述第一浅沟槽隔离区环绕所述测试有源区； 所述栅氧化层位于所述测试有源区表面； 至少一个第一金属栅极结构，设置于所述第一浅沟槽隔离区和所述测试有源区的交界区域，所述第一金属栅极结构均包括第一金属栅极； 至少一个第二金属栅极结构，设置于所述测试有源区内的栅氧化层表面，每个所述第二金属栅极结构均包括第二金属栅极。
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