南京绿芯集成电路有限公司林昌伟获国家专利权
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龙图腾网获悉南京绿芯集成电路有限公司申请的专利沟槽型功率MOS器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223503282U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421675167.3，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型沟槽型功率MOS器件是由林昌伟设计研发完成，并于2024-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本沟槽型功率MOS器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开一种沟槽型功率MOS器件，包括：N型硅衬底和位于N型硅衬底上表面的N型外延层，N型外延层的上部具有一P型阱区，一位于P型阱区内的沟槽延伸至N型外延层内，所述P型阱区上部内且位于沟槽的周边具有重掺杂N型源极区，沟槽内具有一栅极部，此栅极部与沟槽内壁之间具有一绝缘层；重掺杂N型源极区远离沟槽一端周边和下方包覆有一中掺杂N型接触部，此中掺杂N型接触部上端与P型阱区上端齐平且与一第二金属层接触，所述中掺杂N型接触部下方为P型阱区的区域；一绝缘介质层位于沟槽上方并覆盖于栅极部上。本实用新型沟槽型功率MOS器件提高了高频开关的响应速度，降低了在高频状态喜爱使用的损耗，从而扩展器件的应用范围。
本实用新型沟槽型功率MOS器件在权利要求书中公布了：1.一种沟槽型功率MOS器件，其特征在于：包括：N型硅衬底1和位于N型硅衬底1上表面的N型外延层2，所述N型硅衬底1下表面具有一重掺杂N型漏极区11，所述重掺杂N型漏极区11与N型硅衬底1相背的表面具有一第一金属层3； 所述N型外延层2的上部具有一P型阱区4，一位于P型阱区4内的沟槽5延伸至N型外延层2内，所述P型阱区4上部内且位于沟槽5的周边具有重掺杂N型源极区8，所述沟槽5内具有一栅极部6，此栅极部6与沟槽5内壁之间具有一绝缘层7； 所述重掺杂N型源极区8远离沟槽5一端周边和下方包覆有一中掺杂N型接触部12，此中掺杂N型接触部12上端与P型阱区4上端齐平且与一第二金属层10接触，所述中掺杂N型接触部12下方为P型阱区4的区域；一绝缘介质层9位于沟槽5上方并覆盖于栅极部6上，所述第二金属层10位于所述绝缘介质层9、重掺杂N型源极区8上。
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