美垦半导体技术有限公司刘利书获国家专利权
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龙图腾网获悉美垦半导体技术有限公司申请的专利半导体器件、功率模块和电子设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223503284U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422886936.0，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型半导体器件、功率模块和电子设备是由刘利书;唐劲添;周亚州设计研发完成，并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件、功率模块和电子设备在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种半导体器件、功率模块和电子设备，涉及半导体技术领域，其中，半导体器件包括第一栅极材料、栅极以及虚拟栅极：第一栅极材料连接有第一接触孔，第一栅极材料具有至少两个凸部，两个凸部间隔形成有一避让凹部；栅极部分形成于第一栅极材料的凸部，栅极通过第一接触孔与金属电极电连接；虚拟栅极至少部分形成于避让凹部，并与栅极和第一栅极材料间隔设置，虚拟栅极连接有第二接触孔，虚拟栅极通过第二接触孔与金属电极电连接。本实用新型旨在实现半导体器件的小型化设计。
本实用新型半导体器件、功率模块和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括： 第一栅极材料，所述第一栅极材料连接有第一接触孔，所述第一栅极材料具有至少两个凸部，两个所述凸部间隔形成有一避让凹部； 栅极，所述栅极部分形成于所述第一栅极材料的凸部，所述栅极通过所述第一接触孔与金属电极电连接； 虚拟栅极，所述虚拟栅极至少部分形成于所述避让凹部，并与所述栅极和所述第一栅极材料间隔设置，所述虚拟栅极连接有第二接触孔，所述虚拟栅极通过所述第二接触孔与金属电极电连接。
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