台湾积体电路制造股份有限公司邱日照获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223503288U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422943386.1，技术领域涉及：H10D64/23；该实用新型半导体装置是由邱日照;卡伊纳;刘原铭;刘致为设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置包含基板、氧化物半导体通道层、栅极结构、导电层及源极漏极电极。氧化物半导体通道层垂直叠置于基板上方。栅极结构环绕氧化物半导体通道层的通道区中的每一者。导电层垂直叠置于基板上方，其中导电层插入于氧化物半导体通道层中的相邻的两个氧化物半导体通道层之间。源极漏极电极电连接至氧化物半导体通道层的源极漏极区，其中源极漏极电极与导电层接触。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 一基板； 多个氧化物半导体通道层，垂直叠置于该基板上方； 一栅极结构，环绕所述多个氧化物半导体通道层的多个通道区中的每一者； 多个导电层，垂直叠置于该基板上方，其中所述多个导电层插入于所述多个氧化物半导体通道层中的相邻的两个氧化物半导体通道层之间；以及 多个源极漏极电极，电连接至所述多个氧化物半导体通道层的多个源极漏极区，其中所述多个源极漏极电极与所述多个导电层接触。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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