意法半导体国际公司G·乔治诺获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉意法半导体国际公司申请的专利集成电路平台获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223503289U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422506136.1，技术领域涉及：H10D64/27；该实用新型集成电路平台是由G·乔治诺;M·E·卡斯塔尼亚;V·吉隆;C·特林加利;F·尤科纳洛;A·康斯坦特设计研发完成，并于2024-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路平台在说明书摘要公布了：本公开涉及一种集成电路平台。提供用于在单片式p‑GaN集成电路IC平台上的常开GaN高电子迁移率晶体管HEMT集成的方法、系统和设备。具体地，集成电路平台可以包括在单片式集成p‑GaN功率IC中的增强型和耗尽型HEMT功率器件两者。示例性方法可以包括用原位等离子体处理来处理多个p‑GaN栅极中的至少一个以使处理的p‑GaN栅极中的Mg失活并耗尽这个p‑GaN栅极的Mg。耗尽的p‑GaN栅极可以是IC中的常开HEMT的栅极。p‑GaN栅极中的未暴露于原位等离子体预处理的至少一个可以是IC中的常关HEMT的栅极。
本实用新型集成电路平台在权利要求书中公布了：1.一种集成电路平台，其特征在于，所述集成电路平台包括： 常关HEMT和常开HEMT； 其中所述常关HEMT包括在AlGaN层上的p-掺杂GaN栅极；以及 其中所述常开HEMT包括在所述AlGaN层上的耗尽的p-GaN栅极，所述耗尽的p-GaN栅极用原位等离子体处理失活。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体国际公司，其通讯地址为：瑞士；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励