台湾积体电路制造股份有限公司刘键炫获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223503290U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422373982.0，技术领域涉及：H10D84/83；该实用新型半导体装置是由刘键炫设计研发完成，并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：揭示了一种半导体装置，其包括基板、鳍片结构、蚀刻控制层、浅沟槽隔离区、栅极介电层、栅极导电层以及隔离结构。鳍片结构设置于基板上，且鳍片结构包含鳍片部分及氧化物层。蚀刻控制层设置在基板上以及在鳍片部分的多个侧壁上。浅沟槽隔离区设置在蚀刻控制层上。栅极介电层设置在氧化物层上且在浅沟槽隔离区上。栅极导电层设置在栅极介电层上。隔离结构延伸穿过栅极导电层、栅极介电层和蚀刻控制层，且隔离结构具有底表面位于浅沟槽隔离区中或者蚀刻控制层中。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包含： 一基板； 一鳍片结构，设置于该基板上，该鳍片结构包含一鳍片部分及一氧化物层； 一蚀刻控制层，设置在该基板上以及在该鳍片部分的多个侧壁上； 一浅沟槽隔离区，设置在该蚀刻控制层上； 一栅极介电层，设置在该氧化物层上且在该浅沟槽隔离区上； 一栅极导电层，设置在该栅极介电层上；以及 一隔离结构，延伸穿过该栅极导电层、该栅极介电层和该蚀刻控制层，且该隔离结构具有一底表面位于该浅沟槽隔离区中或者该蚀刻控制层中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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