赛奥科思有限公司;住友化学株式会社藤仓序章获国家专利权
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龙图腾网获悉赛奥科思有限公司;住友化学株式会社申请的专利III族氮化物层叠基板和半导体发光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112838149B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011306996.0，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权III族氮化物层叠基板和半导体发光元件是由藤仓序章;今野泰一郎;木村健司设计研发完成，并于2020-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本III族氮化物层叠基板和半导体发光元件在说明书摘要公布了：本发明涉及III族氮化物层叠基板和半导体发光元件。提供能够提高形成在蓝宝石基板上且用于半导体发光元件的GaN层的品质的技术。一种III族氮化物层叠基板，其具有：蓝宝石基板；第一层，其形成在蓝宝石基板上且由氮化铝构成；第二层，其是形成在第一层上且由氮化镓构成的添加有n型杂质的n型层；第三层，其是形成在第二层上且由III族氮化物构成的发光层；以及第四层，其是形成在第三层上且由III族氮化物构成的添加有p型杂质的p型层，第二层的厚度为7μm以下，基于X射线摇摆曲线测定的0002衍射的半值宽度为100秒以下，基于X射线摇摆曲线测定的10‑12衍射的半值宽度为200秒以下。
本发明授权III族氮化物层叠基板和半导体发光元件在权利要求书中公布了：1.一种III族氮化物层叠基板，其具有： 蓝宝石基板； 第一层，其形成在所述蓝宝石基板上且仅由氮化铝构成，所述第一层的上表面为Al极性； 第二层，其是形成在所述第一层的所述上表面且由氮化镓构成的添加有n型杂质的n型层； 第三层，其是形成在所述第二层上且由III族氮化物构成的发光层；以及 第四层，其是形成在所述第三层上且由III族氮化物构成的添加有p型杂质的p型层， 所述第一层的厚度为0.1μm以上且1μm以下，基于X射线摇摆曲线测定的0002衍射的半值宽度为100秒以下，基于X射线摇摆曲线测定的10-12衍射的半值宽度为300秒以下， 所述第二层的厚度为7μm以下，基于X射线摇摆曲线测定的0002衍射的半值宽度为100秒以下，基于X射线摇摆曲线测定的10-12衍射的半值宽度为200秒以下。
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