三星电子株式会社金泰炯获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113035859B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010925763.2，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权半导体器件是由金泰炯;朴判济;梁在锡设计研发完成，并于2020-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体器件包括：具有第一有源区域的衬底；沿第一方向延伸并在第二方向上彼此间隔开的第一有源图案和第二有源图案，并且每一个有源图案具有顺序堆叠的源极图案、沟道图案和漏极图案；第一栅电极和第二栅电极，围绕第一有源图案和第二有源图案的沟道图案并沿第一方向延伸；层间介电层，覆盖第一有源图案和第二有源图案以及第一栅电极和第二栅电极；第一有源接触部，穿透层间介电层并与第一有源图案和第二有源图案之间的第一有源区域耦合；以及第一电力轨，在层间介电层上并电连接到第一有源接触部，第一有源图案和第二有源图案中的每一个包括与第一电力轨竖直地重叠的重叠区域。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底，包括第一有源区域； 在所述第一有源区域上的第一有源图案和第二有源图案，所述第一有源图案和所述第二有源图案沿第一方向延伸并且在与所述第一方向相交的第二方向上彼此间隔开，并且所述第一有源图案和所述第二有源图案中的每一个具有顺序堆叠的源极图案、沟道图案和漏极图案； 第一栅电极和第二栅电极，围绕所述第一有源图案和所述第二有源图案的沟道图案并沿所述第一方向延伸； 层间介电层，覆盖所述第一有源图案和所述第二有源图案以及所述第一栅电极和所述第二栅电极； 第一有源接触部，穿透所述层间介电层并与所述第一有源图案和所述第二有源图案之间的第一有源区域耦合；以及 第一电力轨，在所述层间介电层上并电连接到所述第一有源接触部，所述第一有源图案和所述第二有源图案中的每一个包括与所述第一电力轨竖直地重叠的重叠区域。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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