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龙图腾网获悉香港科技大学申请的专利纳米结构的气体传感器阵列和包括该阵列的设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113138208B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110055087.2，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权纳米结构的气体传感器阵列和包括该阵列的设备是由范智勇;宋志龙设计研发完成，并于2021-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本纳米结构的气体传感器阵列和包括该阵列的设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种气体传感器阵列和包含该气体传感器阵列的设备。该气体传感器阵列包括：电绝缘的三维多孔模板，其包括多个第一孔和多个第二孔；多个导电的第一金属修饰的金属氧化物膜，每个形成在对应的第一孔内并且包括第一金属氧化物膜和第一金属修饰颗粒，第一金属氧化物膜的第一内表面附接在相应的第一孔的内壁上，第一外表面上修饰有第一金属修饰颗粒；以及多个导电的第二金属修饰的金属氧化物膜，每个形成在对应的第二孔内并且包括第二金属氧化物膜和第二金属修饰颗粒，第二金属氧化物膜的第二内表面附接在相应的第二孔的内壁上，第二外表面上修饰有第二金属修饰颗粒。第一金属修饰颗粒和第二金属修饰颗粒由不同的金属制成。

本发明授权纳米结构的气体传感器阵列和包括该阵列的设备在权利要求书中公布了：1.一种气体传感器阵列，包括： 气体感测基板，其包括： 三维多孔模板，其由电绝缘材料制成，并且包括多个贯穿所述三维多孔模板的第一孔和多个贯穿所述三维多孔模板的第二孔； 多个第一金属修饰的金属氧化物膜，每个第一金属修饰的金属氧化物膜是导电的，形成在对应的第一孔内并且包括第一金属氧化物膜和第一金属修饰颗粒，所述第一金属氧化物膜具有第一内表面和第一外表面，所述第一内表面附接在相应的第一孔的内壁上，所述第一外表面上修饰有所述第一金属修饰颗粒；以及 多个第二金属修饰的金属氧化物膜，每个第二金属修饰的金属氧化物膜是导电的，形成在对应的第二孔内并且包括第二金属氧化物膜和第二金属修饰颗粒，所述第二金属氧化物膜具有第二内表面和第二外表面，所述第二内表面附接在相应的第二孔的内壁上，所述第二外表面上修饰有所述第二金属修饰颗粒； 其中，所述第一金属修饰颗粒和所述第二金属修饰颗粒由不同的金属制成，使得每个第一金属修饰的金属氧化物膜和每个第二金属修饰的金属氧化物膜响应于同一浓度的气体而提供不同的电阻，使得由相应的第一金属修饰的金属氧化物膜形成的第一气体传感器和由相应的第二金属修饰的金属氧化物膜形成的第二气体传感器响应于所述浓度的气体而提供不同的灵敏度， 其中，所述第一金属氧化物膜由二氧化锡SnO2制成，厚度为10nm至20nm。

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