美光科技公司F·皮奥获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利用于并发地存取多个存储器单元的系统及技术获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113196398B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201980083113.3,技术领域涉及:G11C13/00;该发明授权用于并发地存取多个存储器单元的系统及技术是由F·皮奥设计研发完成,并于2019-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于并发地存取多个存储器单元的系统及技术在说明书摘要公布了:本申请案涉及用于并发地存取多个存储器单元的系统及技术。存储器图块可包含使用行解码器及列解码器可寻址的多个自选存储器单元。存储器控制器可使用对所述存储器图块的第一自选存储器单元具有第一极性的第一脉冲来存取所述第一自选存储器单元。所述存储器控制器还可与存取所述第一自选存储器单元并发地使用具有与所述第一极性不同的第二极性的第二脉冲来存取所述存储器图块的第二自选存储器单元。所述存储器控制器可确定所述脉冲的特性以缓解对所述存储器图块的未选定自选存储器单元的干扰。
本发明授权用于并发地存取多个存储器单元的系统及技术在权利要求书中公布了:1.一种用于操作电子存储器设备的方法,其包括: 识别存储器图块的第一存储器单元以进行读取; 识别所述存储器图块的第二存储器单元以进行读取; 选择第一读取脉冲的第一极性以读取所述第一存储器单元且选择第二读取脉冲的第二极性以读取所述第二存储器单元; 使用所述第一读取脉冲来读取所述第一存储器单元;及 至少部分地基于选择所述第一极性及所述第二极性,与读取所述第一存储器单元并发地使用所述第二读取脉冲来读取所述第二存储器单元,其中所述第一读取脉冲的所述第一极性不同于所述第二读取脉冲的所述第二极性,其中选择所述第一极性及所述第二极性使得在所述存储器图块的第三存储器单元处由所述第一读取脉冲或所述第二读取脉冲引起的电压差不满足所述第三存储器单元的编程阈值。
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