台湾积体电路制造股份有限公司沙哈吉·B·摩尔获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利制造半导体器件的方法和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113314530B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110171171.0，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权制造半导体器件的方法和半导体器件是由沙哈吉·B·摩尔;钱德拉谢卡尔·普拉卡斯·萨万特;余典卫;蔡家铭设计研发完成，并于2021-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造半导体器件的方法和半导体器件在说明书摘要公布了：在一种制造半导体器件的方法中，在由半导体材料制成的沟道区上方形成栅极介电层，在栅极介电层上方形成第一功函调整材料层，在第一功函调整材料层上方形成粘合增强层，在粘合增强层上形成包括抗反射有机材料层的掩模层，并且通过使用掩模层作为蚀刻掩模来对粘合增强层和第一功函调整材料层进行图案化。该粘合增强层对抗反射有机材料层的粘合强度高于对第一功函调整材料层的粘合强度。本申请的实施例还涉及半导体器件。
本发明授权制造半导体器件的方法和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 第一场效应晶体管FET，包括布置在第一沟道区上方的第一栅极结构；以及 第二场效应晶体管，具有不同于所述第一场效应晶体管的导电类型，并且包括布置在第二沟道区上方的第二栅极结构，其中： 所述第一栅极结构包括： 第一栅极介电层，在所述第一沟道区上方； 第一功函调整材料层，在所述第一栅极介电层上方； 粘合增强层，布置在所述第一功函调整材料层上方；以及 第一金属栅电极层， 所述第二栅极结构包括： 第二栅极介电层，在所述第二沟道区上方； 第二功函调整材料层，在所述第二栅极介电层上方；以及 第二金属栅电极层，以及 所述第一功函调整材料层是无氮的或包含小于50原子%的量的氮，并且所述粘合增强层包含介于55原子%至75原子%的范围内的氮，以及 所述第二栅极结构不包括所述粘合增强层。
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