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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利延伸的通孔半导体结构、器件和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113451510B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110230854.9，技术领域涉及：H10D1/20；该发明授权延伸的通孔半导体结构、器件和方法是由林宏勋;许哲志;黄文助;苏劲宇;陈彦羽;华伟君;洪文瀚设计研发完成，并于2021-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本延伸的通孔半导体结构、器件和方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件包括衬底、位于该衬底上的第一导电层、第一导电通孔，以及位于该第一导电通孔与该衬底之间的另外的导电层和导电通孔。该第一导电通孔位于衬底与第一导电层之间，并且电连接到第一导电层。该第一导电通孔延伸穿过至少两个介电层，并且具有大于约8千埃的厚度。具有高品质因子的电感器形成在第一导电层中，并且还包括第一导电通孔。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

本发明授权延伸的通孔半导体结构、器件和方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括: 衬底； 第一导电层，位于所述衬底上； 第二导电层，位于所述衬底与所述第一导电层之间； 第一导电通孔，位于所述第一导电层与所述第二导电层之间并且所述第一导电通孔与所述第一导电层和所述第二导电层接触，所述第一导电通孔具有大于8千埃的厚度； 多个第三导电层，位于所述第一导电通孔与所述衬底之间； 多个第二导电通孔，位于所述第一导电通孔与所述衬底之间；以及 介电层，位于所述第一导电层和所述第二导电层之间，所述第一导电通孔完全延伸穿过所述介电层，所述介电层包括： 第一蚀刻停止层，位于所述第二导电层上并与所述第二导电层接触，所述第一蚀刻停止层为与所述第二导电层不同的材料； 第二蚀刻停止层，位于所述第一蚀刻停止层上并与所述第一蚀刻停止层接触； 第一氧化物层，位于所述第二蚀刻停止层上并与所述第二蚀刻停止层接触，所述第一氧化物层是与所述第二蚀刻停止层不同的材料； 第三蚀刻停止层，位于所述第一氧化物层上并与所述第一氧化物层接触，所述第三蚀刻停止层为与所述第一氧化物层不同的材料且具有200埃至1000埃范围内的厚度； 第二氧化物层，位于所述第三蚀刻停止层上，所述第二氧化物层与所述第三蚀刻停止层和所述第一导电层接触，所述第二氧化物层为与所述第三蚀刻停止层不同的材料； 其中，所述第一导电层包括第一线圈段和第二线圈段，并且所述第一线圈段和所述第二线圈段通过所述多个第三导电层连接。

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