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龙图腾网获悉西安微电子技术研究所申请的专利基于抗辐照SSD控制器的星用固态存储SiP模块及其读写方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113947058B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111267147.3，技术领域涉及：G06F30/398；该发明授权基于抗辐照SSD控制器的星用固态存储SiP模块及其读写方法是由唐磊;匡乃亮;张庆学;杨巧;赵超;王艳玲;李逵;池骋设计研发完成，并于2021-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于抗辐照SSD控制器的星用固态存储SiP模块及其读写方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于抗辐照SSD控制器的星用固态存储SiP模块及其读写方法，SiP模块包括存储控制单元、数据缓存单元、数据存储单元、程序存储单元、供电参考单元以及阻容网络；存储控制单元包括抗辐照SSD控制器，抗辐照SSD控制器接收主机发来的命令和相关数据并进行计算和处理，输出需要的数据或状态；数据缓存单元由多片动态随机存储器构成；数据存储单元由多片NANDFLASH存储器构成；程序存储单元由非易失SPIFLASH存储器构成；供电参考单元由供电芯片构成；阻容网络用于保证整个SiP模块的信号及电源完整性。本发明可满足星载存储系统大容量、低成本、低功耗、小型化、轻量化的需求。

本发明授权基于抗辐照SSD控制器的星用固态存储SiP模块及其读写方法在权利要求书中公布了：1.一种基于抗辐照SSD控制器的星用固态存储SiP模块，其特征在于：包括存储控制单元、数据缓存单元、数据存储单元、程序存储单元、供电参考单元以及阻容网络； 所述的存储控制单元包括抗辐照SSD控制器，抗辐照SSD控制器接收主机发来的命令和相关数据并进行计算和处理，输出需要的数据或状态； 所述的数据缓存单元由多片动态随机存储器构成，通过对数据进行缓存来匹配存储控制单元与数据存储单元之间的数据传输速率； 所述的数据存储单元由多片NANDFLASH存储器构成； 所述的程序存储单元由非易失SPIFLASH存储器构成，用于存放SSD控制器读写程序、NANDFLASH寿命和可靠性管理调度算法； 所述的供电参考单元由供电芯片构成，用于给数据缓存单元的动态随机存储器、数据存储单元的NANDFLASH存储器提供参考电源； 所述的阻容网络由电阻和电容连接组成，用于保证整个SiP模块的信号及电源完整性； 所述的抗辐照SSD控制器、多片动态随机存储器、多片NANDFLASH存储器、SPIFLASH存储器、供电芯片以及电阻和电容采用3D立体结构集成在一个封装体内； 所述的3D立体结构对于串行信号接口设计为每n根信号伴随1根地信号，1≤n≤10；所述的3D立体结构对于并行信号接口设计为每个并行信号左右两侧均伴随1根地信号； 如果某个NANDFLASH存储器中某个die出现故障，通过禁用该片选，更新抗辐照SSD控制器后端组织结构的方式保持星用固态存储SiP模块的功能。

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