罗姆股份有限公司大角嘉藏获国家专利权
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龙图腾网获悉罗姆股份有限公司申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114026683B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080042917.1，技术领域涉及：H01L23/29；该发明授权半导体器件是由大角嘉藏;西冈太郎;菊地登茂平;大野常久设计研发完成，并于2020-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件，其包括：被供给的电源电压不同的第一半导体芯片11和第二半导体芯片12；连接第一半导体芯片11与第二半导体芯片12的连接焊线30；和埋入于搭载第一半导体芯片11的第一引线架21与搭载第二半导体芯片12的第二引线架22之间且覆盖第一半导体芯片11和第二半导体芯片12的周围地配置的密封树脂40。第一引线架21和第二引线架22的彼此相对的区域的表面，被由与密封树脂40相比介电击穿电压高的材料形成的绝缘保护膜50覆盖。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 第一半导体芯片，其被供给第一电源电压； 第二半导体芯片，其被供给电位比所述第一电源电压高的第二电源电压； 第一引线架，其具有搭载所述第一半导体芯片的芯片搭载面； 第二引线架，其具有搭载所述第二半导体芯片的芯片搭载面； 连接焊线，其将所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片电连接； 密封树脂，其以埋入于所述第一引线架与所述第二引线架之间，且覆盖所述第一半导体芯片、所述第二半导体芯片以及所述第一引线架和所述第二引线架各自的所述芯片搭载面的周围的方式配置；和 绝缘保护膜，其由介电击穿电压比所述密封树脂高的材料形成，且在所述密封树脂的内部，在被施加所述第一电源电压的低电压侧区域与被施加所述第二电源电压的高电压侧区域相对地靠近的靠近区域中，覆盖所述第一引线架和所述第二引线架的彼此相对的区域的表面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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