意法半导体股份有限公司S·拉斯库纳获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利电子设备元件制造方法、相关元件、电子设备和电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141614B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111032574.3，技术领域涉及：H01L21/04；该发明授权电子设备元件制造方法、相关元件、电子设备和电子装置是由S·拉斯库纳;M·G·萨吉奥设计研发完成，并于2021-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本电子设备元件制造方法、相关元件、电子设备和电子装置在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及电子设备元件制造方法、相关元件、电子设备和电子装置。一种钝化层的锚固元件的制作方法，包括：在由SiC制成的半导体本体中和与所述半导体本体的顶表面相距一定距离处，形成沿第一轴具有第一最大尺寸的第一注入区；在所述半导体本体中形成第二注入区，所述第二注入区与所述第一注入区重叠且沿所述第一轴具有小于所述第一最大尺寸的第二最大尺寸；实行所述第一注入区与所述第二注入区的热氧化工艺以形成氧化区；去除所述氧化区域以形成腔体；以及在所述顶表面上形成突出到所述腔体中的所述钝化层，以形成将所述钝化层固定到所述半导体本体的所述锚固元件。
本发明授权电子设备元件制造方法、相关元件、电子设备和电子装置在权利要求书中公布了：1.一种方法，包括： 在半导体本体中在横切于所述半导体本体的第一表面的第一方向上与所述第一表面相距第一距离处形成第一注入区，所述第一注入区具有在横切于所述第一方向的第二方向上的第一尺寸； 在所述半导体本体中形成第二注入区，所述第二注入区与所述第一注入区重叠，从所述第一表面延伸至所述第一注入区，并且所述第二注入区具有第二尺寸，所述第二尺寸在所述第二方向上并且小于所述第一尺寸； 通过对所述第一注入区和所述第二注入区执行热氧化来在所述第一注入区和所述第二注入区处形成氧化区； 通过去除所述半导体本体中的所述氧化区来形成腔体；以及 在所述第一表面上，在所述腔体中形成钝化层，所述钝化层的锚固元件将所述钝化层固定到所述半导体本体。
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