中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司郑二虎获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114429905B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011186230.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由郑二虎;肖杏宇设计研发完成，并于2020-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：提供衬底，所述衬底上具有若干相互分立的第一鳍部结构，所述第一鳍部结构包括第一鳍，并且，所述第一鳍与所述衬底的材料不同；在所述第一鳍的侧壁面形成第一阻挡膜；在形成所述第一阻挡膜后，在所述衬底上形成隔离结构材料层，所述隔离结构材料层覆盖所述第一鳍部结构。通过所述第一阻挡膜，提高了第一鳍的抗氧化能力，从而，提高了半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上具有若干相互分立的第一鳍部结构，所述第一鳍部结构包括第一鳍，并且，所述第一鳍与所述衬底的材料不同； 在所述第一鳍的侧壁面形成第一阻挡膜； 在形成所述第一阻挡膜后，在所述衬底上形成隔离结构材料层，所述隔离结构材料层覆盖所述第一鳍部结构； 其中，所述第一阻挡膜的材料为硅； 形成所述第一阻挡膜的方法包括：在所述衬底和第一鳍部结构表面形成第一阻挡材料膜；对所述第一鳍侧壁面的第一阻挡材料膜进行改性处理，使第一鳍的材料与第一阻挡材料膜的材料反应，以在所述第一鳍的侧壁面形成所述第一阻挡膜；在形成所述第一阻挡膜之后，去除所述第一鳍部结构表面以及所述衬底表面的第一阻挡材料膜。
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