中国科学院微电子研究所闫珍珍获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种单粒子翻转加固锁存器电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114531147B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210032024.X，技术领域涉及：H03K19/003；该发明授权一种单粒子翻转加固锁存器电路是由闫珍珍;韩郑生;刘海南;卜建辉;李多力;许婷;郭燕萍;王成成;高立博;赵发展设计研发完成，并于2022-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单粒子翻转加固锁存器电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单粒子翻转加固锁存器电路，包括第一延迟元件、第一反相器、第一门控反相器及第二门控反相器。本发明当锁存器中第一反相器与第一门控反相器构成的反馈环路某一端的节点电平受单粒子入射影响发生电平翻转时，第一延迟元件的负载延迟特性会维持反馈环路另一端的节点电平不变，在电离辐射结束后将受影响的节点电平恢复，实现锁存器的单粒子免疫。
本发明授权一种单粒子翻转加固锁存器电路在权利要求书中公布了：1.一种单粒子翻转加固锁存器电路，其特征在于，包括第一延迟元件、第一反相器、第一门控反相器及第二门控反相器； 所述第一反相器与所述第一门控反相器构成反馈环路，所述第一延迟元件设置于所述第一反相器与所述第一门控反相器之间，所述第一延迟元件具有负载延迟特性； 所述第二门控反相器的输出端连接所述第一反相器的输入端，所述第一门控反相器导通时所述第二门控反相器关断，所述第一门控反相器关断时所述第二门控反相器导通； 所述第一延迟元件设置于所述第一反相器的输出端与所述第一门控反相器的输入端之间；或，所述第一延迟元件设置于所述第一门控反相器的输出端与所述第一反相器的输入端之间； 第二延迟元件，所述第二延迟元件具有负载延迟特性； 所述第二延迟元件设置于所述第一门控反相器的输出端与所述第一反相器的输入端之间；或，所述第二延迟元件设置于所述第一反相器的输出端与所述第一门控反相器的输入端之间； 所述第一延迟元件位于所述第一反相器所在支路时，所述第二延迟元件位于所述第一门控反相器所在支路；所述第一延迟元件位于所述第一门控反相器所在支路时，所述第二延迟元件位于所述第一反相器所在支路。
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