太原理工大学;山西浙大新材料与化工研究院郤育莺获国家专利权
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龙图腾网获悉太原理工大学;山西浙大新材料与化工研究院申请的专利一种碳化硅基高阻值电阻器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114678348B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210294747.7，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权一种碳化硅基高阻值电阻器及其制备方法是由郤育莺;崔艳霞;胡鲲;田媛;李国辉;许并社设计研发完成，并于2022-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅基高阻值电阻器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅基高阻值电阻器，包括半绝缘4H‑SiC型碳化硅衬底，所述碳化硅衬底的硅面和碳面上设置有对称的原子级厚度的氧化铝绝缘层，所述氧化铝绝缘层的厚度为0.2nm‑2nm，所述氧化铝绝缘层的两侧蒸镀导电的金属电极，所述金属电极的厚度为100nm‑500nm。本发明采用上述结构的一种碳化硅基高阻值电阻器，在半绝缘碳化硅衬底上制作欧姆接触电极，获得阻值在100TΩ以上的电阻，满足精密测量行业的需要。
本发明授权一种碳化硅基高阻值电阻器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅基高阻值电阻器，其特征在于：包括半绝缘4H-SiC型碳化硅衬底，所述碳化硅衬底的硅面和碳面上设置有对称的原子级厚度的氧化铝绝缘层，所述氧化铝绝缘层的厚度为0.2nm-2nm，所述氧化铝绝缘层的两侧蒸镀导电的金属电极，所述金属电极的厚度为100nm-500nm； 所述金属电极选用金、银、铜或铝中的一种或多种。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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