D-波系统公司理查德·G·哈里斯获国家专利权
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龙图腾网获悉D-波系统公司申请的专利用于制造超导集成电路的系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115004393B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080095035.1，技术领域涉及：H10N60/01；该发明授权用于制造超导集成电路的系统和方法是由理查德·G·哈里斯;克里斯托弗·B·里奇设计研发完成，并于2020-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于制造超导集成电路的系统和方法在说明书摘要公布了：披露了一种用于减轻超导集成电路中的磁通俘获的系统和方法。形成具有第一临界温度和第一装置的第一金属层，并且形成具有第二临界温度的磁通引导层。磁通引导层定位成与孔口位置连通，并且该孔口位置与第一装置间隔开以将第一装置与在孔口中俘获的磁通隔离。超导集成电路通过低温制冷机从高于第一临界温度和第二临界温度两者的第一温度冷却至小于第一临界温度和第二临界温度两者的第二温度。第一临界温度与第二临界温度之间的相对温度差引起磁通引导层背离第一装置引导磁通并在孔口位置处俘获磁通。
本发明授权用于制造超导集成电路的系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种超导集成电路，包括： 第一装置，该第一装置包括该超导集成电路内的第一金属层的至少一部分，该第一金属层包括具有第一临界温度的第一超导材料； 与该第一装置间隔开的磁通俘获位置，该磁通俘获位置是具有一个开口或一系列对齐的、连续的开口的一个或多个磁通俘获孔口，这些开口开放以到超导电路的每个超导层中并且完全延伸穿过该超导电路，该磁通俘获位置定位成使得在该磁通俘获位置内被俘获的磁通与该第一装置隔离；以及 磁通引导层，其包括具有第二临界温度的超导材料，该磁通引导层定位成与该磁通俘获位置连通，使得该磁通引导层包括与该一个或多个磁通俘获孔口对齐的开口； 其中，该第一临界温度和该第二临界温度具有相对温度差，使得当该超导集成电路被冷却至小于该第一临界温度和该第二临界温度两者的温度时，磁通背离该第一装置被引导并进入该磁通引导层中，并且该磁通引导层引导磁通并在该磁通俘获位置内俘获该磁通。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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