三菱电机株式会社菅原胜俊获国家专利权
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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利碳化硅-金属氧化物半导体场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050806B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210212331.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权碳化硅-金属氧化物半导体场效应晶体管是由菅原胜俊;香川泰宏;福井裕设计研发完成，并于2022-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅-金属氧化物半导体场效应晶体管在说明书摘要公布了：一种碳化硅‑金属氧化物半导体场效应晶体管。本发明的目的是抑制耐压下降及接通电压增加并且使体二极管电流增加。SiC‑MOSFET101具有：第1导电型的SiC衬底1；第1导电型的漂移层2，形成于SiC衬底1之上；第2导电型的基极区域3，形成于漂移层2的表层；第1导电型的源极区域4，形成于基极区域3的表层；栅极电极6，隔着栅极绝缘膜5而与被漂移层2及源极区域4夹着的基极区域3的区域即沟道区域相对；源极电极8，与源极区域4电接触；以及第2导电型的多个第1填埋区域10，在基极区域3的下表面相邻地形成。多个第1填埋区域10至少形成于基极区域3的两端部的正下方，彼此分离地形成大于或等于3个。
本发明授权碳化硅-金属氧化物半导体场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅-金属氧化物半导体场效应晶体管SiC-MOSFET，其具有： 第1导电型的SiC衬底； 第1导电型的漂移层，其形成于所述SiC衬底之上； 第2导电型的基极区域，其形成于所述漂移层的表层； 第1导电型的源极区域，其形成于所述基极区域的表层； 栅极电极，其隔着栅极绝缘膜而与被所述漂移层及所述源极区域夹着的所述基极区域的区域即沟道区域相对； 源极电极，其与所述源极区域电接触；以及 第2导电型的多个第1填埋区域，它们在所述基极区域的下表面相邻地形成， 多个所述第1填埋区域至少形成于所述基极区域的两端部的正下方，在所述基极区域的宽度方向上彼此分离地形成大于或等于3个， 被相邻的2个所述第1填埋区域夹着的所述漂移层的宽度大于或等于0.4μm且小于或等于4.0μm。
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