南亚科技股份有限公司苏国辉获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利具有蜿蜒导电特征的半导体元件结构及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115084064B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111530282.2,技术领域涉及:H01L23/48;该发明授权具有蜿蜒导电特征的半导体元件结构及其制备方法是由苏国辉设计研发完成,并于2021-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有蜿蜒导电特征的半导体元件结构及其制备方法在说明书摘要公布了:本公开提供一种具有蜿蜒导电特征的半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构具有一导电垫,设置在一半导体基底中;以及一第一遮罩层,设置在该半导体基底上。该半导体元件结构亦具有一第二遮罩层,设置在该第一遮罩层上。该第一遮罩层与该第二遮罩层包含不同材料。该半导体元件结构还具有一导电特征,穿经该第一遮罩层与该第二遮罩层以连接到该导电垫。在顶视图中,该导电特征具有一蜿蜒图案。
本发明授权具有蜿蜒导电特征的半导体元件结构及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体元件结构,包括: 一导电垫,设置在一半导体基底中; 一第一遮罩层,设置在该半导体基底上; 一第二遮罩层,设置在该第一遮罩层上,其中该第一遮罩层与该第二遮罩层包含不同材料;以及 一导电特征,穿经该第一遮罩层与该第二遮罩层以连接到该导电垫,其中在一顶视图中,该导电特征具有一蜿蜒图案, 其中该导电特征的该蜿蜒图案包括: 一第一线段以及一第二线段,在顶视图中沿着一第一方向延伸;以及 一连接段,在顶视图中沿着一第二方向延伸且实体连接该第一线段与该第二线段,其中该连接段沿着该第一方向具有一宽度,且该第一线段与该第二线段之间的一最短距离小于该连接断肢开该宽度的两倍。
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