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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利延迟单元版图结构、延迟模块版图结构及延迟电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115602205B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211164124.4，技术领域涉及：G11C5/02；该发明授权延迟单元版图结构、延迟模块版图结构及延迟电路是由吴栋诚;吴骏;范茂成设计研发完成，并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本延迟单元版图结构、延迟模块版图结构及延迟电路在说明书摘要公布了：本发明提供一种延迟电路，其特征在于，包括译码器、第一、二位线、字线、灵敏放大器、存储单元以及由延迟单元模块版图结构制得的延迟模块电路；其中，字线分别与译码器、存储单元电性连接，第一、二位线分别与字线、存储单元、灵敏放大器电性连接；灵敏放大器用于放大第一、二位线的电位差并输出开启信号SE；延迟模块电路用于延迟开启信号SE。本发明可以更好匹配BL、BLB两条位线的电位差ΔV；利用本身基本静态随机储存器单元基础中进行功能实现；阶级放大作为延迟，延迟效果更好，更容易形成延迟；延迟单元与其他存储单元在制造工艺上也会保持相同，避免因为工艺条件缘故导致器件性能差异。

本发明授权延迟单元版图结构、延迟模块版图结构及延迟电路在权利要求书中公布了：1.一种延迟单元版图结构，其特征在于，包括： 第一、二PMOS版图结构和第一至四NMOS版图结构； 所述第一、二PMOS版图结构和所述第一至四NMOS版图结构分别包括： 依次设置的第一至四有源区图形和横跨所述第一至四有源区图形的第一、二栅极图形，所述第一、二NMOS版图结构共用所述第一有源区图形，所述第三、四NMOS版图结构共用所述第二有源区图形；所述第一、四有源区图形所述第一、二PMOS版图结构分别设于所述第三、四有源区图形； 横跨所述第一、二NMOS版图结构中所述第一、二栅极图形的，且用于连接两者的第一金属层图形； 横跨所述第三、四NMOS版图结构中所述第一、二栅极图形的，且用于连接两者的第二金属层图形； 设于所述第一PMOS版图结构中所述第二栅极图形上的，用于作为所述延迟单元版图输出金属的第三金属层图形； 设于所述第二PMOS版图结构中所述第一栅极图形上的，用于作为所述延迟单元版图输入金属的第四金属层图形； 设于所述第一金属层图形上，且位于所述第一、二NMOS版图结构间的第一接触孔图形； 设于所述第一栅极图形与所述第二有源区图形交叠部分上的第二接触孔图形，其用于作为所述延迟单元的输入端。

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