华中科技大学同济医学院附属同济医院王世宣获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学同济医学院附属同济医院申请的专利一种卵巢器官芯片、制作方法及其应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115678774B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211242365.6,技术领域涉及:C12M3/00;该发明授权一种卵巢器官芯片、制作方法及其应用是由王世宣;吴桐;张金金设计研发完成,并于2022-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种卵巢器官芯片、制作方法及其应用在说明书摘要公布了:本申请涉及一种卵巢器官芯片、制作方法及其应用,所述卵巢器官芯片由四层结构封接而成,自上而下依次为卵巢芯片上层、卵泡培养层、多孔滤膜层和卵巢芯片下层,卵巢芯片上层的上层培养基灌流室上端通过上层灌流通道与上层入口池相通,下端通过上层灌流通道与上层出口池相通;卵巢芯片下层的下层培养基灌流室上端通过下层灌流通道与下层入口池相通,下端通过下层灌流通道与下层出口池相通;所述卵泡培养层上设有圆孔或圆柱。本发明通过构建卵巢器官芯片,在体外模仿卵巢内实质细胞的生理环境和病理改变,从而进行激素合成、卵巢发育与成熟、疾病发生机制、肿瘤的发生发展与侵袭转移等研究,并将其用于研究研发药物、肿瘤的个体化治疗、生育力保存。
本发明授权一种卵巢器官芯片、制作方法及其应用在权利要求书中公布了:1.一种卵巢器官芯片,其特征在于,所述卵巢器官芯片由四层结构封接而成,自上而下依次为卵巢芯片上层1、卵泡培养层2、多孔滤膜层3和卵巢芯片下层4,所述卵巢芯片上层1包括上层入口池5、上层培养基灌流室6、上层出口池7和上层灌流通道8;所述上层培养基灌流室6上端通过上层灌流通道8与上层入口池5相通,下端通过上层灌流通道8与上层出口池7相通;所述卵巢芯片下层4包含下层入口池12、下层培养基灌流室13、下层出口池14和下层灌流通道15,所述下层培养基灌流室13上端通过下层灌流通道15与下层入口池12相通,下端通过下层灌流通道15与下层出口池14相通;所述上层入口池5和上层出口池7与所述上层灌流通道8之间直线相通,所述下层入口池12和下层出口池14与所述下层灌流通道15之间直线相通;所述卵巢芯片上层1和卵巢芯片下层4的灌流通道所在方向互相垂直;所述卵泡培养层2上设有圆孔9或圆柱10;所述圆孔9或圆柱10呈阵列通量,个数为10-200; 所述卵泡培养层2上设有圆孔9,构成蜂巢状卵巢芯片,圆孔9与多孔滤膜层3形成细胞培养小室16,细胞培养小室16具有不同孔径结构,孔径直径为30-700μm,深度为50-700μm,越靠近上层入口池5,细胞培养小室16直径越小、深度越浅;或 所述卵泡培养层2上设有圆柱10,构成栅格状卵巢芯片,圆柱10与多孔滤膜层3形成细胞培养栅格,通过阻挡卵泡进行培养,圆柱10之间具有不同的间距,间距范围为30-700μm,高度为50-700μm,圆柱直径为30-100μm,越靠近上层入口池5,圆柱10之间的间距越大。
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