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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种自毁器件及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692323B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211467170.1，技术领域涉及：H01L23/00；该发明授权一种自毁器件及芯片是由刘凡宇;张旭;李博;陈思远;罗家俊;李彬鸿;叶甜春设计研发完成，并于2022-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种自毁器件及芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种自毁器件及芯片，涉及电子技术领域，自毁器件包括：第一自毁电极和第二自毁电极；中间硅层、第一硅层掺杂和第二硅层掺杂，中间硅层的一侧通过第一硅层掺杂连接第一自毁电极，中间硅层的另一侧通过第二硅层掺杂连接第二自毁电极；密封层，密封层配合第一硅层掺杂和第二硅层掺杂将中间硅层封闭；衬底，衬底与密封层连接；当第一自毁电极接收到第一预设阈值电信号，第二自毁电极接收到第二预设阈值电信号，衬底接收到第三预设阈值电信号，并持续第四预设阈值时长后，中间硅层在封闭空间内温度升高，使得器件被击穿或烧毁。本申请成本低、集成度高，既保证芯片正常工作，又能快速自毁。

本发明授权一种自毁器件及芯片在权利要求书中公布了：1.一种自毁器件，其特征在于，所述自毁器件包括： 第一自毁电极和第二自毁电极； 中间硅层、第一硅层掺杂和第二硅层掺杂，所述中间硅层的一侧通过所述第一硅层掺杂连接所述第一自毁电极，所述中间硅层的另一侧通过所述第二硅层掺杂连接所述第二自毁电极；所述中间硅层与两侧的所述第一硅层掺杂和所述第二硅层掺杂形成NPN器件； 密封层，所述密封层配合所述第一硅层掺杂和第二硅层掺杂将所述中间硅层封闭； 衬底，所述衬底与所述密封层连接； 当所述第一自毁电极接收到第一预设阈值电信号，第二自毁电极接收到第二预设阈值电信号，衬底接收到第三预设阈值电信号以开启所述NPN器件，导致碰撞电离，引发所述中间硅层、所述第一硅层掺杂和所述第二硅层掺杂的放大效应，放大电流，并持续第四预设阈值时长后，所述中间硅层在封闭空间内温度升高，使得器件被击穿或烧毁； 其中，所述密封层采用热导率低的材料制成； 所述密封层包括第一埋氧层和第二埋氧层，所述第一埋氧层的底部与所述中间硅层的顶部连接，所述第一埋氧层的两侧分别连接所述第一自毁电极和第二自毁电极的内侧，所述第二埋氧层的顶部分别连接所述第一硅层掺杂的底部、中间硅层的底部和第二硅层掺杂的底部，所述衬底设置于所述第二埋氧层的底部。

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