小华半导体有限公司钱祎涵获国家专利权
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龙图腾网获悉小华半导体有限公司申请的专利基极电流产生电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115951744B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211642591.3，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权基极电流产生电路是由钱祎涵设计研发完成，并于2022-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本基极电流产生电路在说明书摘要公布了：本发明提供一种基极电流产生电路，电路包括：电流供应模块、自偏置环路模块、第一晶体管、第二晶体管及负载模块，电流供应模块与电压源连接，用于产生电流信号；自偏置环路模块与电压源连接，包括第一输出端及第二输出端，第一输出端与第一晶体管的基极连接，第二输出端与第二晶体管的基极连接；第一晶体管的集电极与电流供应模块连接，其发射极接地；第二晶体管的集电极与负载模块连接，其发射极接地；负载模块与电压源连接，用于保证第二晶体管与第一晶体管处于相同的工作状态。通过本发明解决了现有的基极电流产生电路中的基极电流补偿不准确，基极电流无法复制，且最低工作电压较高的问题。
本发明授权基极电流产生电路在权利要求书中公布了：1.一种基极电流产生电路，其特征在于，所述电路包括：电流供应模块、自偏置环路模块、第一晶体管、第二晶体管及负载模块， 所述电流供应模块与电压源连接，用于产生电流信号； 所述自偏置环路模块与所述电压源连接，用于复制所述第一晶体管的基极电流，其包括第一输出端及第二输出端，所述第一输出端与所述第一晶体管的基极连接，所述第二输出端与所述第二晶体管的基极连接； 所述第一晶体管的集电极与所述电流供应模块连接以接收所述电流信号，其发射极接地； 所述第二晶体管的集电极与所述负载模块连接，其发射极接地，且所述第一晶体管的尺寸与所述第二晶体管的尺寸相同，使自偏置环路模块内的两个NMOS管和两个PMOS管的电流一致，通过正反馈来钳制所述自偏置环路模块收敛到一个稳定的状态，以输出准确的基极电流； 所述负载模块与所述电压源连接，用于保证所述第二晶体管与所述第一晶体管处于相同的工作状态。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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